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Spin injection into Si through an asymmetrical potential barrier

Spin injection into Si through an asymmetrical potential barrier
通过不对称势垒自旋注入硅
批准号：
26600080
负责人：
SUZUKI Toshio
金额：
$2.58万
依托单位：
Akita Industrial Technology Center
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26600080/
关键词：
スピン注入トンネル現象非対称ポテンシャル界面双極子仕事関数フェルミレベルピンニングシリコン酸化マグネシウムスピントロニクス界面分極

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Si(100)上超薄MgO薄膜退火引起的表面势能变化
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
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DOI： --
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期刊：
影响因子： --
作者： [Ryo Teranishi, Kenya Otaguro, Hiroshi Horita, Kazuhiro Yamada, Kenji Kaneko, Teruo Izumi, and Satoshi Awaji, 石野誠一郎，田渕豊，石川豊史，山崎歴舟，宇佐見康二，中村泰信, Toshio Suzuki]
通讯作者： Toshio Suzuki
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  • 批准号：
    19K03855
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.66万
  • 财政年份：
    2019
  • 负责人：
    SUZUKI Toshio
  • 依托单位：
    Nihon University
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  • 批准号：
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  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 负责人：
    SUZUKI Toshio
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  • 批准号：
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  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $2.91万
  • 财政年份：
    2016
  • 负责人：
    SUZUKI Toshio
  • 依托单位：
    Tokyo Metropolitan University
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