production of quantum bit using highly charged ions

使用高电荷离子生产量子位

基本信息

  • 批准号：
    15K13409
  • 负责人：
    Sakurai Makoto
  • 金额：
    $ 2.58万
  • 依托单位：
    Kobe University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2018-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（18）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Structural and electric modification of nano-carbon materials using highly charged ions
使用高电荷离子对纳米碳材料进行结构和电改性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Sakurai;S. Honda;M. Terasawa
  • 通讯作者：
    M. Terasawa
Toward quantum bit generation using single highly charged ion implantation
使用单次高电荷离子注入实现量子位生成
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Sakurai
  • 通讯作者：
    M. Sakurai
Potential Effect of Multi-Walled Carbon Nanotube Irradiated with Highly Charged Ions
高电荷离子辐照多壁碳纳米管的潜在效应
  • DOI：
    10.1380/vss.61.162
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    Vacuum and Surface Science
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    NISHIDA Naofumi;SAKURAI Makoto;BETSUMIYA Koji;SUZUKI Kenta;YAMAUCHI Akane;KATO Masaki;FUJIWARA Yuya;HONDA Shin-ichi;TERASAWA Mititaka;LEE Kuei-Yi;TERUI Toshifumi
  • 通讯作者：
    TERUI Toshifumi
Luminescence from reactor relevant material surfaces induced by slow highly charged ions
由缓慢的高电荷离子引起的反应器相关材料表面的发光
Studies on interaction of highly charged ions with surface using Kobe EBIS
使用神户 EBIS 研究高电荷离子与表面的相互作用
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    N. Nishida;K. Betsumiya、T. Tokui、K. Suzuki、M. Sakurai、T. Sakurai、S. Honda、M. Terasawa、D. Kato、H.A.Sakaue、T. Ikeda
  • 通讯作者：
    K. Betsumiya、T. Tokui、K. Suzuki、M. Sakurai、T. Sakurai、S. Honda、M. Terasawa、D. Kato、H.A.Sakaue、T. Ikeda
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  • 作者：
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    0
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  • DOI：
  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Horie Takafumi;Hirai Kenta;Kumagai Norihisa;Taniya Keita;Ichihashi Yuichi;Ohmura Naoto;Matsuda Keigo;Matsumoto Hideyuki;Sakurai Makoto;Watabe Yoshihide;澤田真一
  • 通讯作者：
    澤田真一
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高电荷铋离子 L 壳辐射复合 X 射线的偏振测量
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    Physical Review A
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  • 通讯作者：
    Nakamura Nobuyuki

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    2024
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    $ 2.58万
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    $ 2.58万
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  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.58万
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    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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  • 批准号：
    23K25878
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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使用约瑟夫森参量放大器高速测量硅自旋量子位
  • 批准号：
    23K22431
  • 财政年份：
    2024
  • 资助金额：
    $ 2.58万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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