Development of an evaluation method of space radiation effects on semiconductor devices using laser acceleration charged-particles
Development of an evaluation method of space radiation effects on semiconductor devices using laser acceleration charged-particles
开发利用激光加速带电粒子评估半导体器件空间辐射效应的方法
批准号：
15K13410
负责人：
Watanabe Yukinobu
金额：
$2.58万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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J-KAREN-Pにおける高精度な荷電粒子計測について
关于 J-KAREN-P 的高精度带电粒子测量
关于 J-KAREN-P 的高精度带电粒子测量
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[榊 泰直, 西内 満美子, ドーバー ニコラスピーター, 近藤 康太郎, 福田 祐仁, 桐山 博光, 西谷 勁太, 宮原 巧, ピロジコフ アレキサンダー, 匂坂 明人, 小倉 浩一, アルキモバ マリヤ, ファエノフ アナトリー, ピクツ タチアナ, 渡辺 幸信, 神門 正城, 近藤 公伯]
通讯作者：
近藤 公伯
Ion acceleration experiment with the high intensity, high contrast J-KAREN-P laser system
使用高强度、高对比度 J-KAREN-P 激光系统进行离子加速实验
使用高强度、高对比度 J-KAREN-P 激光系统进行离子加速实验
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
The Review of Laser Engineering
影响因子：
--
作者：
[M. Nishiuchi, K. Kondo（末尾）, 他12名]
通讯作者：
他12名
超高強度コントラスレー ザーJ-KAREN-Pシステムによるレーザープラズマ相互作用およびイオン加速
使用超高强度对比激光 J-KAREN-P 系统进行激光等离子体相互作用和离子加速
使用超高强度对比激光 J-KAREN-P 系统进行激光等离子体相互作用和离子加速
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[西内満美子, 榊 泰直, ピロジコフアレキサンダー, 匂坂明人, 今 亮, 福田祐仁, 桐山博光, ニコラスドー バー, 小倉浩一, 西谷勁太, 渡辺 幸信, ファエノアナトリー, ピクツタチアナ, 長谷部裕雄, 奥野広樹, 神門正城, 近藤公伯]
通讯作者：
近藤公伯
DOI：
10.1007/s00340-017-6771-2
发表时间：
2017-06
期刊：
Applied Physics B
影响因子：
--
作者：
[A. Faenov;M. Alkhimova;T. Pikuz;I. Skobelev;M. Nishiuchi;H. Sakaki;A. Pirozhkov;A. Sagisaka;N. Dover;K. Kondo;K. Ogura;Y. Fukuda;H. Kiriyama;A. Andreev;Keita Nishitani;T. Miyahara;Y. Watanabe;S. Pikuz;M. Kando;R. Kodama;K. Kondo]
通讯作者：
A. Faenov;M. Alkhimova;T. Pikuz;I. Skobelev;M. Nishiuchi;H. Sakaki;A. Pirozhkov;A. Sagisaka;N. Dover;K. Kondo;K. Ogura;Y. Fukuda;H. Kiriyama;A. Andreev;Keita Nishitani;T. Miyahara;Y. Watanabe;S. Pikuz;M. Kando;R. Kodama;K. Kondo
輝尽性蛍光体検出器のLET依存性を利用したイオン核種弁別法
利用可激发荧光检测器的 LET 依赖性的离子核素辨别方法
利用可激发荧光检测器的 LET 依赖性的离子核素辨别方法
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[榊泰直, 西内満美子, ドーバー ニコラス ピーター, 近藤康太郎, 岩田佳之, 宮原 巧, 渡辺幸信, 神門正城, 近藤公伯]
通讯作者：
近藤公伯
共 12 条
Development of technical platform for estimation of muon-induced soft error rates in semiconductor devices
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批准号：16H03906
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.98万
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财政年份：2016
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负责人：Watanabe Yukinobu
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依托单位：