Development of technical platform for estimation of muon-induced soft error rates in semiconductor devices
Development of technical platform for estimation of muon-induced soft error rates in semiconductor devices
开发用于估计半导体器件中μ介子引起的软错误率的技术平台
批准号：
16H03906
负责人：
Watanabe Yukinobu
金额：
$11.98万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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DCミューオンビームを用いたSEU断面積測定
使用 DC μ 子束进行 SEU 横截面积测量
使用 DC μ 子束进行 SEU 横截面积测量
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[馬原 巧, 渡辺幸信, 真鍋征也, 廖 望, 橋本昌宜, 齋藤岳志, 新倉 潤, 友野 大, 佐藤 朗, 二宮和彦]
通讯作者：
二宮和彦
低エネルギーミューオンの計測手法開発
低能μ子测量方法的开发
低能μ子测量方法的开发
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤光流, 金 政浩, 渡辺 幸信]
通讯作者：
渡辺 幸信
低エネルギー宇宙線ミュオンスペクトルの計測手法開発
低能宇宙线μ子谱测量方法的研制
低能宇宙线μ子谱测量方法的研制
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐藤光流, 金 政浩, 渡辺 幸信]
通讯作者：
渡辺 幸信
Momentum and Supply Voltage Dependences of SEUs Induced by Low-energy Negative and Positive Muons in 65-nm UTBB-SOI SRAMs
65 nm UTBB-SOI SRAM 中低能负 μ 子和正 μ 子引起的 SEU 动量和电源电压依赖性
65 nm UTBB-SOI SRAM 中低能负 μ 子和正 μ 子引起的 SEU 动量和电源电压依赖性
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Seiya Manabe, Yukinobu Watanabe, Wang Liao, Masanori Hashimoto, Keita Nakano, Hikaru Sato, Tadahiro Kin, Koji Hamada, Motonobu Tampo, Yasuhiro Miyake]
通讯作者：
Yasuhiro Miyake
65-nm SOTB SRAMにおける低エネルギー正負ミュオン誘起SEU断面積の測定
65 nm SOTB SRAM 中低能正负 μ 介子诱导 SEU 横截面的测量
65 nm SOTB SRAM 中低能正负 μ 介子诱导 SEU 横截面的测量
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[真鍋 征也, 渡辺 幸信, 中野 敬太, 佐藤 光流, 金 政浩, 廖 望, 橋本 昌宜, 濱田 幸司, 反保 元伸, 三宅 康博]
通讯作者：
三宅 康博
共 16 条
Development of an evaluation method of space radiation effects on semiconductor devices using laser acceleration charged-particles
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批准号：15K13410
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2015
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负责人：Watanabe Yukinobu
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依托单位：
海外基金