Development of technical platform for estimation of muon-induced soft error rates in semiconductor devices
开发用于估计半导体器件中μ介子引起的软错误率的技术平台
基本信息
- 批准号:16H03906
- 负责人:
- 金额:$ 11.98万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
DCミューオンビームを用いたSEU断面積測定
使用 DC μ 子束进行 SEU 横截面积测量
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:馬原 巧;渡辺幸信;真鍋征也;廖 望;橋本昌宜;齋藤岳志;新倉 潤;友野 大;佐藤 朗;二宮和彦
- 通讯作者:二宮和彦
Momentum and Supply Voltage Dependences of SEUs Induced by Low-energy Negative and Positive Muons in 65-nm UTBB-SOI SRAMs
65 nm UTBB-SOI SRAM 中低能负 μ 子和正 μ 子引起的 SEU 动量和电源电压依赖性
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Seiya Manabe;Yukinobu Watanabe;Wang Liao;Masanori Hashimoto;Keita Nakano;Hikaru Sato;Tadahiro Kin;Koji Hamada;Motonobu Tampo;Yasuhiro Miyake
- 通讯作者:Yasuhiro Miyake
65-nm SOTB SRAMにおける低エネルギー正負ミュオン誘起SEU断面積の測定
65 nm SOTB SRAM 中低能正负 μ 介子诱导 SEU 横截面的测量
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:真鍋 征也;渡辺 幸信;中野 敬太;佐藤 光流;金 政浩;廖 望;橋本 昌宜;濱田 幸司;反保 元伸;三宅 康博
- 通讯作者:三宅 康博
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Watanabe Yukinobu其他文献
Irradiation Test of 65-nm Bulk SRAMs With DC Muon Beam at RCNP-MuSIC Facility
在 RCNP-MuSIC 设施中使用 DC Mu 子束对 65 nm Bulk SRAM 进行辐照测试
- DOI:
10.1109/tns.2020.2972022 - 发表时间:
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- 影响因子:1.8
- 作者:
Mahara Takumi;Manabe Seiya;Watanabe Yukinobu;Liao Wang;Hashimoto Masanori;Saito Takeshi Y.;Niikura Megumi;Ninomiya Kazuhiko;Tomono Dai;Sato Akira - 通讯作者:
Sato Akira
Isotope production in proton-, deuteron-, and carbon-induced reactions on Nb93 at 113 MeV/nucleon
Nb93 上 113 MeV/核子的质子、氘核和碳诱导反应中的同位素产生
- DOI:
10.1103/physrevc.100.044605 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:3.1
- 作者:
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Spectroscopic approach to Galactic Archaeology with Subaru
与斯巴鲁一起进行银河考古学的光谱方法
- DOI:
- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Nakano Keita;Watanabe Yukinobu;Kawase Shoichiro;Kondo Yosuke et al.;Wako Aoki - 通讯作者:
Wako Aoki
Impact of the Angle of Incidence on Negative Muon-Induced SEU Cross Sections of 65-nm Bulk and FDSOI SRAMs
入射角对 65 nm Bulk 和 FDSOI SRAM 的负 μ 子诱导 SEU 横截面的影响
- DOI:
10.1109/tns.2020.2976125 - 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:1.8
- 作者:
Liao Wang;Hashimoto Masanori;Manabe Seiya;Watanabe Yukinobu;Abe Shin-ichiro;Tampo Motonobu;Takeshita Soshi;Miyake Yasuhiro - 通讯作者:
Miyake Yasuhiro
Watanabe Yukinobu的其他文献
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Development of an evaluation method of space radiation effects on semiconductor devices using laser acceleration charged-particles
开发利用激光加速带电粒子评估半导体器件空间辐射效应的方法
- 批准号:
15K13410 - 财政年份:2015
- 资助金额:
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相似海外基金
大きな表面分極を持つトポロジカル半金属の半導体デバイスへの応用
大表面极化拓扑半金属在半导体器件中的应用
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使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压
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- 批准号:
24K07586 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体デバイス排熱の有効利用に向けた窒化物半導体の熱電特性解明と性能向上
阐明氮化物半导体的热电特性和性能改进,以有效利用半导体器件废热
- 批准号:
23K26148 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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利用半导体器件微加工技术和评估方法建立颗粒光催化剂的设计指南并提高其效率
- 批准号:
24K17641 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
ナノビームX線回折による半導体デバイスの4次元断層解析
使用纳米束 X 射线衍射对半导体器件进行 4 维断层扫描分析
- 批准号:
23H01447 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワー半導体デバイスの寿命と性能を最大限活かせる駆動回路設計手法の確立
建立最大化功率半导体器件寿命和性能的驱动电路设计方法
- 批准号:
23K13313 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Validation of Process to Increase Life of Semiconductor Equipment & Improve Process Yields Through Surface Conditioning
延长半导体设备寿命的工艺验证
- 批准号:
10075794 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant for R&D
界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化
通过优化界面结构提高氮化物半导体器件型氢传感器性能
- 批准号:
23K03949 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
高信頼性有機半導体デバイス実現に向けた非接触・in-situ二次元評価法の確立
建立非接触/原位二维评估方法以实现高可靠性有机半导体器件
- 批准号:
23K13667 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 11.98万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists














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