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Fabrication of atomic layer devices and control of their electronic properties using soft materials
使用软材料制造原子层器件并控制其电子特性
基本信息
- 批准号：15K13497
- 负责人：
- 金额：$ 2.41万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（30）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Contact-induced doping in aluminum-contacted molybdenum disulfide
铝接触二硫化钼中的接触诱导掺杂
- DOI：10.7567/jjap.57.015801
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Shimazu Yoshihiro;Arai Kensuke;Iwabuchi Tatsuya
- 通讯作者：Iwabuchi Tatsuya
二次元層状化合物GaSとNiPS3における光励起
二维层状化合物 GaS 和 NiPS3 的光激发
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：栗原大輝;藤澤悠太郎;髙梨雅也;島津佳弘;鈴木和也
- 通讯作者：鈴木和也
Hysteresis of Transfer Characteristics in Field-Effect Transistors with a Molybdenum Disulfide Channel
- DOI：10.11605/j.pnrs.201701008
- 发表时间：2017-10
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Shimazu
- 通讯作者：Y. Shimazu
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SHIMAZU Yoshihiro其他文献
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- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
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57460019 - 财政年份：1982
- 资助金额：
$ 2.41万 - 项目类别：
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