Sublattice reversal epitaxy on high-index substrates for semiconductor coupled multilayer cavity
Sublattice reversal epitaxy on high-index substrates for semiconductor coupled multilayer cavity
用于半导体耦合多层腔的高折射率衬底上的亚晶格反转外延
批准号：
15K13956
负责人：
Kitada Takahiro
金额：
$2.5万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
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MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換
通过 MBE 进行 GaAs/Ge/GaAs(113)B 异质结构中的亚晶格交换
通过 MBE 进行 GaAs/Ge/GaAs(113)B 异质结构中的亚晶格交换
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[盧 翔孟, 太田 寛人, 熊谷 直人, 北田 貴弘, 井須 俊郎]
通讯作者：
井須 俊郎
(113)B GaAs基板上の副格子交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器
(113)B GaAs/AlAs 多层耦合谐振器，在 GaAs 衬底上具有亚晶格交换
(113)B GaAs/AlAs 多层耦合谐振器，在 GaAs 衬底上具有亚晶格交换
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[盧 翔孟, 南 康夫, 北田 貴弘]
通讯作者：
北田 貴弘
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE
MBE 生长的 GaAs/Ge/GaAs (113)B 异质结构中的亚晶格反转
MBE 生长的 GaAs/Ge/GaAs (113)B 异质结构中的亚晶格反转
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Xiangmeng Lu, Yasuo Minami, Takahiro Kitada]
通讯作者：
Takahiro Kitada