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Sublattice reversal epitaxy on high-index substrates for semiconductor coupled multilayer cavity
用于半导体耦合多层腔的高折射率衬底上的亚晶格反转外延
基本信息
- 批准号：15K13956
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
MBEによる GaAs/Ge/GaAs(113)Bヘテロ構造における副格子交換
通过 MBE 进行 GaAs/Ge/GaAs(113)B 异质结构中的亚晶格交换
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：盧 翔孟;太田 寛人;熊谷 直人;北田 貴弘;井須 俊郎
- 通讯作者：井須 俊郎
(113)B GaAs基板上の副格子交換によるGaAs/AlAs多層膜結合共振器
(113)B GaAs/AlAs 多层耦合谐振器，在 GaAs 衬底上具有亚晶格交换
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：盧 翔孟;南 康夫;北田 貴弘
- 通讯作者：北田 貴弘
Sublattice reversal in GaAs/Ge/GaAs (113)B heterostructures grown by MBE
MBE 生长的 GaAs/Ge/GaAs (113)B 异质结构中的亚晶格反转
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Xiangmeng Lu;Yasuo Minami;Takahiro Kitada
- 通讯作者：Takahiro Kitada
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Kitada Takahiro其他文献
Time-resolved measurements of two-color laser light emitted from GaAs/AlGaAs-coupled multilayer cavity
GaAs/AlGaAs 耦合多层腔发射的双色激光的时间分辨测量
- DOI：
10.7567/1347-4065/ab238c - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Minami Yasuo;Ogusu Kotaro;Lu Xiangmeng;Kumagai Naoto;Morita Ken;Kitada Takahiro - 通讯作者：
Kitada Takahiro
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
