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Low temperature oxidation of gallium nitride with super critical water by high-pressure underwater laser annealing
高压水下激光退火超临界水低温氧化氮化镓
基本信息
- 批准号：15K13955
- 负责人：
- 金额：$ 2.33万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（1）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Reforming of Thermally Oxidized Film on GaN by Annealing with High-Temperature and High-Pressure Water
高温高压水退火对GaN热氧化膜的改性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yuki Tada;Masahiro Horita;Koji Yoshitsugu;Yasuaki Ishikawa;Yukiharu Uraoka
- 通讯作者：Yukiharu Uraoka
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- 影响因子：1.5
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- 影响因子：1.5
- 作者：
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2023 - 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：
Aoshima Keito;Horita Masahiro;Suda Jun - 通讯作者：
Suda Jun
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