Detection of a single-flux-quantum at 4.2 K by means of a ultra-charge-sensitive single-electron device

利用超电荷敏感单电子装置检测 4.2 K 的单通量量子

基本信息

  • 批准号：
    15K13999
  • 负责人：
    MIZUGAKI Yoshinao
  • 金额：
    $ 2.5万
  • 依托单位：
    The University of Electro-Communications
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份：
    2015
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2015-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（34）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Sharp Switching Characteristics of Single Electron Transistor with Discretized Charge Input
  • DOI：
    10.3390/app6080214
  • 发表时间：
    2016-07
  • 期刊：
    Applied Sciences
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Takiguchi;H. Shimada;Y. Mizugaki
  • 通讯作者：
    M. Takiguchi;H. Shimada;Y. Mizugaki
DFQアンプの性能評価におけるSFQパルス列の入力方法
用于 DFQ 放大器性能评估的 SFQ 脉冲串输入方法
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    浦井芳彰;島田 宏;水柿義直
  • 通讯作者：
    水柿義直
SFQ-D/A変換器で用いるSFQパルス繰り返し周波数の向上
SFQ-D/A转换器中SFQ脉冲重复频率的改进
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    荒井祐真;渡邉智希;澤田和直;島田 宏;水柿義直
  • 通讯作者：
    水柿義直
Experimental demonstration of single-flux-quantum sequential-access mask ROM
单通量量子顺序存取掩模ROM的实验演示
  • DOI：
    10.1587/elex.13.20160342
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
    IEICE Electronics Express
  • 影响因子：
    0.8
  • 作者：
    Y. Mizugaki;K. Sawada;T. Watanabe;and H. Shimada
  • 通讯作者：
    and H. Shimada
Characteristics of single electron device fabricated by repeated dispersion of gold nano particles
金纳米颗粒重复分散制备单电子器件的特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Moriya;Tran T. T. Huong;K. Matsumoto;H. Shimada;Y. Kimura;A. Hirano-Iwata;and Y. Mizugaki
  • 通讯作者：
    and Y. Mizugaki
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MIZUGAKI Yoshinao其他文献

Dielectrophoretic Assembly of Gold Nanoparticle Arrays Evaluated in Terms of Room-Temperature Resistance
金纳米粒子阵列介电泳组装的室温电阻评估
  • DOI：
    10.1587/transele.2019ecs6011
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    IEICE Transactions on Electronics
  • 影响因子：
    0.5
  • 作者：
    MIZUGAKI Yoshinao;MORIBAYASHI Makoto;YAGAI Tomoki;MORIYA Masataka;SHIMADA Hiroshi;HIRANO-IWATA Ayumi;HIROSE Fumihiko
  • 通讯作者：
    HIROSE Fumihiko
Planarized Nb 4-Layer Fabrication Process for Superconducting Integrated Circuits and Its Fabricated Device Evaluation
超导集成电路平面化铌四层制造工艺及其制造器件评估
  • DOI：
    10.1587/transele.2020sup0001
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    IEICE Transactions on Electronics
  • 影响因子：
    0.5
  • 作者：
    NAGASAWA Shuichi;TANAKA Masamitsu;TAKEUCHI Naoki;YAMANASHI Yuki;MIYAJIMA Shigeyuki;CHINA Fumihiro;YAMAE Taiki;YAMAZAKI Koki;SOMEI Yuta;SEGA Naonori;MIZUGAKI Yoshinao;MYOREN Hiroaki;TERAI Hirotaka;HIDAKA Mutsuo;YOSHIKAWA Nobuyuki;FUJIMAKI Akira
  • 通讯作者：
    FUJIMAKI Akira
グラフェン複合 AD 膜の作製と近傍界ノイズ抑制効果
石墨烯复合AD薄膜的制备及近场噪声抑制效果
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    NAGASAWA Shuichi;TANAKA Masamitsu;TAKEUCHI Naoki;YAMANASHI Yuki;MIYAJIMA Shigeyuki;CHINA Fumihiro;YAMAE Taiki;YAMAZAKI Koki;SOMEI Yuta;SEGA Naonori;MIZUGAKI Yoshinao;MYOREN Hiroaki;TERAI Hirotaka;HIDAKA Mutsuo;YOSHIKAWA Nobuyuki;FUJIMAKI Akira;渡邉　雅人，佐藤 光晴，松浦 昌志，杉本 諭
  • 通讯作者：
    渡邉　雅人，佐藤 光晴，松浦 昌志，杉本 諭
Rapid Single-Flux-Quantum NOR Logic Gate Realized through the Use of Toggle Storage Loop
通过使用切换存储环路实现快速单通量量子 NOR 逻辑门
  • DOI：
    10.1587/transele.2020ecs6005
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
    IEICE Transactions on Electronics
  • 影响因子：
    0.5
  • 作者：
    MIZUGAKI Yoshinao;YAMAZAKI Koki;SHIMADA Hiroshi
  • 通讯作者：
    SHIMADA Hiroshi
Numerical Simulation of Single-Electron Tunneling in Random Arrays of Small Tunnel Junctions Formed by Percolation of Conductive Nanoparticles
导电纳米粒子渗流形成的小隧道结随机阵列中单电子隧道效应的数值模拟
  • DOI：
    10.1587/transele.e101.c.836
  • 发表时间：
    2018
  • 期刊：
    IEICE Transactions on Electronics
  • 影响因子：
    0.5
  • 作者：
    MIZUGAKI Yoshinao;SHIMADA Hiroshi;HIRANO-IWATA Ayumi;HIROSE Fumihiko
  • 通讯作者：
    HIROSE Fumihiko

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  • 期刊：
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    2006
  • 资助金额：
    $ 2.5万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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