Fabrication of single-electron transistor by helium ion microscope
Fabrication of single-electron transistor by helium ion microscope
氦离子显微镜制备单电子晶体管
批准号：
16K13732
负责人：
Kobayashi Takane
金额：
$2.33万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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会议论文
Measurement of the ampacity of a nanowire fabricated by electron beam-induced deposition
通过电子束诱导沉积制造的纳米线的载流量测量
通过电子束诱导沉积制造的纳米线的载流量测量
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小林 峰]
通讯作者：
小林 峰
ユヴァスキュラ大学(フィンランド)
于韦斯屈莱大学（芬兰）
于韦斯屈莱大学（芬兰）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[小林 峰, 小林 峰]
通讯作者：
小林 峰