Development of highly sensitve UV sensing device with wide band gap semiconductor

宽带隙半导体高灵敏度紫外传感器件的开发

• 批准号: 16K13792
• 负责人: Narita Shinya
• 金额: $ 2.25万
• 依托单位: Iwate University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K13792/
• 关键词: フォトダイオード; 紫外光センサ; 化合物半導体; アバランシェダイオード; 紫外光; 窒化物半導体; 酸化亜鉛; 素粒子実験; 電子・電気材料; 電子デバイス・機器

项目成果

Ⅲ族窒化物半導体を用いた高感度紫外光検出器の開発研究

采用III族氮化物半导体的高灵敏度紫外光电探测器的研发

• 发表时间: 2017
• 作者: 中里悠人;遠藤巧;成田晋也;根岸健太郎;遠藤治之;山口栄一
• 通讯作者: 山口栄一

化合物半導体による高感度紫外光センサの開発

使用化合物半导体开发高灵敏度紫外光传感器

• 发表时间: 2018
• 作者: 遠藤巧;成田晋也;根岸健太郎;遠藤治之;山口栄一
• 通讯作者: 山口栄一

極低温環境下で用いる紫外光センサの開発

开发用于低温环境的紫外光传感器

• 发表时间: 2016
• 作者: 東海林諒;中里悠人;千葉寿;志田寛;成田晋也;根岸健太郎;遠藤治之;山口栄一
• 通讯作者: 山口栄一