Development of highly sensitve UV sensing device with wide band gap semiconductor
Development of highly sensitve UV sensing device with wide band gap semiconductor
宽带隙半导体高灵敏度紫外传感器件的开发
批准号：
16K13792
负责人：
Narita Shinya
金额：
$2.25万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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会议论文
Ⅲ族窒化物半導体を用いた高感度紫外光検出器の開発研究
采用III族氮化物半导体的高灵敏度紫外光电探测器的研发
采用III族氮化物半导体的高灵敏度紫外光电探测器的研发
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[中里悠人, 遠藤巧, 成田晋也, 根岸健太郎, 遠藤治之, 山口栄一]
通讯作者：
山口栄一
化合物半導体による高感度紫外光センサの開発
使用化合物半导体开发高灵敏度紫外光传感器
使用化合物半导体开发高灵敏度紫外光传感器
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[遠藤巧, 成田晋也, 根岸健太郎, 遠藤治之, 山口栄一]
通讯作者：
山口栄一
極低温環境下で用いる紫外光センサの開発
开发用于低温环境的紫外光传感器
开发用于低温环境的紫外光传感器
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[東海林諒, 中里悠人, 千葉寿, 志田寛, 成田晋也, 根岸健太郎, 遠藤治之, 山口栄一]
通讯作者：
山口栄一