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Precise Control of Nickelidation Process of Si Nanowires Utilizing Computational Physics

利用计算物理精确控制硅纳米线的镍化过程

基本信息

批准号：
26630135
负责人：
Watanabe Takanobu
金额：
$ 2.5万
依托单位：
Waseda University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（30）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Ar+イオン照射によるSi ナノワイヤのNi 合金化プロセスの制御

Ar+离子辐照控制Si纳米线Ni合金化过程

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
張旭;橋本修一郎;武井康平;ソンセイ;徐泰宇;麻田修平;臼田稔宏;富田基裕;今井亮佑;小椋厚志;松川貴;昌原明植;渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

分子動力学法および分子軌道法を用いたSiGe混晶内の原子間ポテンシャルに関する考察

用分子动力学方法和分子轨道方法考虑SiGe混晶中的原子间势

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
富田基裕;小椋厚志;渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

ON current enhancement of nanowire Schottky barrier tunnel field effect transistors

纳米线肖特基势垒隧道场效应晶体管的导通电流增强

DOI：
10.7567/jjap.55.04ed07
发表时间：
2016
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Kohei Takei;Shuichiro Hashimoto;Jing Sun;Xu Zhang;Shuhei Asada;Taiyu Xu;Takashi Matsukawa;Meishoku Masahara;and Takanobu Watanabe
通讯作者：
and Takanobu Watanabe

A Silicon Nanowire Thermoelectric Device Fabricated by Top-Down Process

自上而下工艺制造的硅纳米线热电器件

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Shuichiro Hashimoto;Shuhei Asada;Taiyu Xu;Shunsuke Oba;Takashi Matsukawa;and Takanobu Watanabe
通讯作者：
and Takanobu Watanabe

GeO2酸化膜を考慮したGeナノワイヤ構造の熱伝導率およびフォノン分散関係の分子動力学的解析

考虑GeO2氧化膜的Ge纳米线结构热导率与声子色散关系的分子动力学分析

DOI：
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
0
作者：
小出隆太;志村昴亮;橋本修一郎;富田基裕;渡邉孝信
通讯作者：
渡邉孝信

DOI：
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作者：
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Watanabe Takanobu其他文献

The Transformation of Methods of Timetabling in the New Education Movement

新教育运动时间安排方式的转变

DOI：
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
0
作者：
Miyamoto Kenichiro;Yamasaki Yoko;Watanabe Takanobu;Yamana Jun;Peter Cunningham
通讯作者：
Peter Cunningham

Nano-scale evaluation of electrical tree initiation in silica/epoxy nano-composite thin film

二氧化硅/环氧树脂纳米复合薄膜中电树引发的纳米级评价

DOI：
10.23919/iseim.2017.8088759
发表时间：
2017
期刊：
Conference Proceedings of International Symposium Electrical Insulating Materials (ISEIM) 2017
影响因子：
0
作者：
Onishi Takuya;Hashimoto Shuichiro;Tomita Motohiro;Watanabe Takanobu;Mura Kotaro;Tsuda Toshihiro;Yoshimitsu Tetsuo
通讯作者：
Yoshimitsu Tetsuo

Development of interatomic potential of Ge(1- x-y )SixSny ternary alloy semiconductors for classical lattice dynamics simulation

用于经典晶格动力学模拟的 Ge(1- x-y )SixSny 三元合金半导体原子间势的发展

DOI：
10.7567/jjap.57.04fb04
发表时间：
2018
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Tomita Motohiro;Ogasawara Masataka;Terada Takuya;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu

Molecular Dynamics of Dipole Layer Formation at High-k/SiO2Interface

高 k/SiO2 界面偶极层形成的分子动力学

DOI：
10.1149/08001.0313ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
0
作者：
田結荘　健，松本光玄，久松裕季，井上　順一郎，S. Sharmin，柳原英人，喜多英治;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu

Enhanced nickelidation rate in silicon nanowires with interfacial lattice disorder

界面晶格无序的硅纳米线镍化率提高

DOI：
10.1063/1.4999195
发表时间：
2017
期刊：
Journal of Applied Physics
影响因子：
3.2
作者：
Hashimoto Shuichiro;Yokogawa Ryo;Oba Shunsuke;Asada Shuhei;Xu Taiyu;Tomita Motohiro;Ogura Atsushi;Matsukawa Takashi;Masahara Meishoku;Watanabe Takanobu
通讯作者：
Watanabe Takanobu