ON current enhancement of nanowire Schottky barrier tunnel field effect transistors
ON current enhancement of nanowire Schottky barrier tunnel field effect transistors
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纳米线肖特基势垒隧道场效应晶体管的导通电流增强
DOI：
10.7567/jjap.55.04ed07
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发表时间：
2016
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Takanobu Watanabe
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kohei Takei;Shuichiro Hashimoto;Jing Sun;Xu Zhang;Shuhei Asada;Taiyu Xu;Takashi Matsukawa;Meishoku Masahara;and Takanobu Watanabe
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DOI：
10.1016/j.sse.2004.02.006
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
作者：
Shiyang Zhu;R. Meirhaeghe;S. Forment;G. Ru;X. Qu;Bingzong Li
通讯作者：
Bingzong Li
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DOI：
10.1109/iedm.2011.6131627
发表时间：
2011
期刊：
2011 International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
W. Feng;R. Hettiarachchi;Y. Lee;S. Sato;K. Kakushima;M. Sato;K. Fukuda;M. Niwa;K. Yamabe;K. Shiraishi;H. Iwai;K. Ohmori
通讯作者：
K. Ohmori
影响因子：
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通讯作者：
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通讯作者：
C. Lin
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发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Electron Devices Meeting
影响因子：
--
作者：
Akito Suzuki;T. Kamioka;Y. Kamakura;K. Ohmori;K. Yamada;Takanobu Watanabe
通讯作者：
Takanobu Watanabe