Study on voltage-induced change of interface magnetic anisotropy at ferromagnetic-oxide interface toward ultralow power consuming non-volatile memories
Study on voltage-induced change of interface magnetic anisotropy at ferromagnetic-oxide interface toward ultralow power consuming non-volatile memories
超低功耗非易失性存储器铁磁氧化物界面电压引起的界面磁各向异性变化研究
批准号：
26630291
负责人：
Koji Kita
金额：
$2.5万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2016-03-31
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Enhancement of voltage-induced magnetic anisotropy change by preventing ferromagnetic surface oxidation in CoFeB/Al2O3 and CoFeB/ZrO2 stacks
通过防止 CoFeB/Al2O3 和 CoFeB/ZrO2 叠层中的铁磁表面氧化来增强电压引起的磁各向异性变化
通过防止 CoFeB/Al2O3 和 CoFeB/ZrO2 叠层中的铁磁表面氧化来增强电压引起的磁各向异性变化
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Yuki Fujino, K. Kakimoto, 柿本健一, 大石竜輔，喜多浩之, Ryusuke Oishi and Koji Kita]
通讯作者：
Ryusuke Oishi and Koji Kita
Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density
控制 4H-SiC (0001) 热氧化过程以降低界面态密度
控制 4H-SiC (0001) 热氧化过程以降低界面态密度
DOI：
10.1149/06408.0023ecst
发表时间：
2014
期刊：
ECS Transactions
影响因子：
--
作者：
[Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Yuki Fujino]
通讯作者：
and Yuki Fujino
CoFeB と遷移金属酸化物MOx の界面磁気異方性の電界応答性に遷移金属元素M の性質が与える影響
过渡金属元素M的性质对CoFeB与过渡金属氧化物MOx界面磁各向异性电场响应的影响
过渡金属元素M的性质对CoFeB与过渡金属氧化物MOx界面磁各向异性电场响应的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[松原功尚, 渕上輝顕, 柿本健一, 大石竜輔，喜多浩之]
通讯作者：
大石竜輔，喜多浩之
DOI：
10.7567/jjap.55.04eb11
发表时间：
2016-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[J. Fei;K. Kita]
通讯作者：
J. Fei;K. Kita
Different effects between Al- and Zr-insertion on voltage control of PMA at CoFeB/oxide interface
Al-和Zr-插入对CoFeB/氧化物界面PMA电压控制的不同影响
Al-和Zr-插入对CoFeB/氧化物界面PMA电压控制的不同影响
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Koji Kita, Richard Heihachiro Kikuchi, Hirohisa Hirai, and Yuki Fujino, K. Kakimoto, 柿本健一, 大石竜輔，喜多浩之]
通讯作者：
大石竜輔，喜多浩之
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