Study on voltage-induced change of interface magnetic anisotropy at ferromagnetic-oxide interface toward ultralow power consuming non-volatile memories

超低功耗非易失性存储器铁磁氧​​化物界面电压引起的界面磁各向异性变化研究

基本信息

  • 批准号:
    26630291
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Enhancement of voltage-induced magnetic anisotropy change by preventing ferromagnetic surface oxidation in CoFeB/Al2O3 and CoFeB/ZrO2 stacks
通过防止 CoFeB/Al2O3 和 CoFeB/ZrO2 叠层中的铁磁表面氧化来增强电压引起的磁各向异性变化
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Kita;Richard Heihachiro Kikuchi;Hirohisa Hirai;and Yuki Fujino;K. Kakimoto;柿本健一;大石竜輔,喜多浩之;Ryusuke Oishi and Koji Kita
  • 通讯作者:
    Ryusuke Oishi and Koji Kita
Control of 4H-SiC (0001) Thermal Oxidation Process for Reduction of Interface State Density
控制 4H-SiC (0001) 热氧化过程以降低界面态密度
  • DOI:
    10.1149/06408.0023ecst
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Kita;Richard Heihachiro Kikuchi;Hirohisa Hirai;and Yuki Fujino
  • 通讯作者:
    and Yuki Fujino
CoFeB と遷移金属酸化物MOx の界面磁気異方性の電界応答性に遷移金属元素M の性質が与える影響
过渡金属元素M的性质对CoFeB与过渡金属氧化物MOx界面磁各向异性电场响应的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松原功尚;渕上輝顕;柿本健一;大石竜輔,喜多浩之
  • 通讯作者:
    大石竜輔,喜多浩之
Understanding the impact of interface reaction on dipole strength at MgO/SiO2 and Y2O3/SiO2 interfaces
Different effects between Al- and Zr-insertion on voltage control of PMA at CoFeB/oxide interface
Al-和Zr-插入对CoFeB/氧化物界面PMA电压控制的不同影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Kita;Richard Heihachiro Kikuchi;Hirohisa Hirai;and Yuki Fujino;K. Kakimoto;柿本健一;大石竜輔,喜多浩之
  • 通讯作者:
    大石竜輔,喜多浩之
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Koji Kita其他文献

Opportunities to Design Thermal Oxidation and Post-Oxidation Processes to Control 4H-SiC MOS Interface Characteristics
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Masuya;K. Hanada;T. Moribayashi;H. Sumiya;M. Kasu;Koji Kita
  • 通讯作者:
    Koji Kita
ElectricElectric-field Induced Change of Magnetic Anisotropy in CoFeB/Oxide Stacks
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2011
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Kita;D.W.Abraham;M.J.Gajek;D.C.Worledge
  • 通讯作者:
    D.C.Worledge
Study on the Effects of Post-Deposition Annealing on SiO2/β-Ga2O3 MOS Characteristics
沉积后退火对SiO2/β-Ga2O3 MOS特性影响的研究
  • DOI:
    10.1149/09201.0059ecst
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Kita;Eiki Suzuki;and Qin Mao
  • 通讯作者:
    and Qin Mao
Dominant Factor for Determining Upright Configuration and Gait of Human under Space-Suits Knee Loading
宇航服膝关节载荷下确定人体直立形态和步态的主导因素
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Kita;Y. Takeda
  • 通讯作者:
    Y. Takeda
Control of SiC thermal oxidation processes for the improvement of MOSFET performance
控制 SiC 热氧化工艺以提高 MOSFET 性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Koji Kita;Hirohisa Hirai;Yuki Fujino and Hiroyuki Kajifusa
  • 通讯作者:
    Yuki Fujino and Hiroyuki Kajifusa

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  • 资助金额:
    $ 2.5万
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  • 资助金额:
    $ 2.5万
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