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高臨界温度Nb_3(Ge, Si)薄膜を用いた高温動作・接合型ジョセフソン素子の作製

高臨界温度Nb_3(Ge, Si)薄膜を用いた高温動作・接合型ジョセフソン素子の作製
高临界温度Nb_3(Ge, Si)薄膜高温工作/结型约瑟夫森器件的制作
批准号：
58850057
负责人：
山中 俊一
金额：
$3.52万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 1984
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-58850057/
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スパッタ法による垂直磁気記録媒体用フェライト複合膜の作製
  • 批准号：
    57460113
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $5.38万
  • 财政年份：
    1982
  • 负责人：
    山中 俊一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
対向ターゲット式低温・高速スパッタによる高密度磁気記録用Co-Cr系合金膜の作製
  • 批准号：
    56850092
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 资助金额：
    $3.33万
  • 财政年份：
    1981
  • 负责人：
    山中 俊一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
超高速スパッタ法によるアモルファス磁性合金膜の作製
  • 批准号：
    56211020
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $1.6万
  • 财政年份：
    1981
  • 负责人：
    山中 俊一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
イオンビームスパッタ法による磁気ヘッド用パーマロイ薄膜の作製
  • 批准号：
    X00090----555124
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $1.63万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    山中 俊一
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology