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スパッタ法による垂直磁気記録媒体用フェライト複合膜の作製

溅射法制备垂直磁记录介质用铁氧体复合薄膜

基本信息

批准号：
57460113
负责人：
山中俊一
金额：
$ 5.38万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
财政年份：
1982
资助国家：
日本
起止时间：
1982 至 1983
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-57460113/
关键词：

项目摘要

项目成果

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