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透明半導体電極からなる高速光ダイオード

透明半導体電極からなる高速光ダイオード
由透明半导体电极组成的高速光电二极管
批准号：
X43120-----53018
负责人：
酒井 善雄
金额：
$0.58万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份：
1968
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1968 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-X43120-----53018/
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高分子-金属膜構造における複合特性の解明と電子素子への応用
  • 批准号：
    56550218
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
  • 资助金额：
    $0.83万
  • 财政年份：
    1981
  • 负责人：
    酒井 善雄
  • 依托单位：
    Aoyama Gakuin University
化合物半導体よりなるMIS構造トランジスタの基礎研究
  • 批准号：
    X00080----046069
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.1万
  • 财政年份：
    1975
  • 负责人：
    酒井 善雄
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
モレキュラビーム法による化合物半導体薄膜の形成とオプトエレクトロニクスヘの応用開発に関する研究
  • 批准号：
    X00080----846060
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $5.25万
  • 财政年份：
    1973
  • 负责人：
    酒井 善雄
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology
転写法による半導体薄膜の生成とその応用
  • 批准号：
    X00120----785050
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 资助金额：
    $1.4万
  • 财政年份：
    1972
  • 负责人：
    酒井 善雄
  • 依托单位：
    Tokyo Institute of Technology