ダイヤモンド表面にナノ量子センサーを自由に配置・測定する手法の開発

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NVセンターの電子スピンは室温で長いコヒーレンス時間(2 ms以上)を持ち、スピンの初期化、操作、測定が可能である。このような特徴を持つNVセンターを用いてダイヤモンド外部の少数核スピンを対象としたナノスケールNMRの研究が盛んにおこなわれている。このようなセンシング技術開発には、NVセンターの電子スピンと対象の核スピンとの強い相互作用が必要となる。このため、NVセンターの電子スピンと対象核スピンの距離を短くする必要があり、ダイヤ表面にNVセンターを生成することが望まれている。本研究では表面NVセンターを再現性良くナノスケール分解能で作製する手法の確立し、さらに表面NVセンターを配列することを目標としている。この目標達成のため、フェムト秒レーザーによるダイヤモンド加工技術に着目し、研究開発を行った。本年度は、昨年度に開発した加工装置を用いてさらなる極小加工を目指した。具体的にはレーザーエネルギーなどの条件などを精密に制御することにより、最小で幅約60 nm,深さ原子層レベルの加工が達成された。このような加工部への新たなダイヤモンド層の埋め込み成長を行った。その結果、加工穴が綺麗に埋め込まれることで、原子平坦面に戻すことが可能となった。これにより昨年度と比較すると、さらなる微小な加工と、加工部への埋め込み技術を確立したため、埋め込んだNVセンターの評価を行った。しかし埋め込み膜中NVセンターと基板中NVセンターの区別が難しく、埋め込み部NVセンターの評価が困難であった。これらを踏まえて、現在埋め込み部への高濃度NVセンタードープ技術と、原子平坦でなおかつ表面平坦なダイヤモンド試料の作製技術の開発を行い、また、加工技術のさらなる高精度化を検討している。