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フォトレジスト薄膜中における化学組成分布がパターン線幅粗さに与える影響の解明

阐明光刻胶薄膜中化学成分分布对图案线宽粗糙度的影响

基本信息

批准号：
21K14212
负责人：
山川進二
金额：
$ 2.91万
依托单位：
University of Hyogo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-04-01 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、レジスト中の組成材の空間分布が線幅のバラツキ具合に与える影響を評価するために、レジスト合成、基板上に塗布したレジスト薄膜中の化学組成分布評価および、パタニング後のLWR評価を行う。2022年度は以下の2点に重点を置いて研究を進めた。・軟X線散乱測定によるレジスト薄膜中の化学組成の空間分布評価（継続）：レジスト中の組成の空間分布評価について、軟X線共鳴散乱測定を継続して実施した。これにより軟X線を照射したサンプルからの散乱強度の強弱によって、材料中の凝集といった散乱源の多少を比較できる。シリコン基板上に塗布したレジストサンプルについて検討した。レジストは極性の異なる一般的なレジストに加え、本研究過程で合成した感光剤（PAG）ユニットをポリマー中に有するレジストを用いた。その結果、比較的低極性なレジストは極性の高いレジストに比べて散乱光の強度が低いことがわかった。これは散乱源が少ないことを意味し、材料中の化学組成の凝集が少ないことを意味する。また極性の高いレジストに比較的極性の低いPAGを添加、あるいはポリマー中に導入することで、その散乱光強度が低下することも明らかとなった。これらの結果から、レジストの全体的な極性（あるいは極性の差）を小さくすることが、レジスト薄膜中の凝集抑制に効果的だと考えられる。・EUV干渉露光装置のアップグレード：レジストのパタニング後のLWR評価のために、EUV干渉露光装置のアップグレードを実施した。パタニングにはEUV光の露光条件を多数検討する必要があるが、従来セットアップでは15ショット/枚程度の露光を手動でしかできなかったためである。アップグレードにより3倍以上の48ショット/枚を自動露光できるようになり、実験効率が大幅に向上した。

In this study, the spatial distribution of the composition materials in the film was evaluated for the influence of the line width on the chemical composition distribution in the film. In 2022, the following two key points were put forward: Evaluation of Spatial Distribution of Chemical Composition in Thin Films by Soft X-ray Scattering Measurement: Evaluation of Spatial Distribution of Chemical Composition in Thin Films by Soft X-ray Resonance Scattering Measurement The intensity of scattering in soft X-ray irradiation is different from that in material aggregation. The substrate is coated with a thin film. In this study, the polarity of the reaction mixture is different from that of the reaction mixture. As a result, the intensity of scattered light is lower than that of scattered light. The meaning of "scattered source" and "aggregation" of chemical composition in materials The polarity of the light is high, the polarity of the light is low, and the light intensity is low. As a result, the polarity of the whole film is small, and the aggregation inhibition effect in the film is small. LWR evaluation of EUV dry lighting devices after the replacement of the LED, EUV dry lighting devices after the replacement of the LED For example, if you are looking for the most suitable exposure conditions for EUV light, you can choose to manually adjust the exposure level to 15 degrees. More than 3 times the number of 48 pieces/piece of automatic exposure, the efficiency is greatly increased.