におい識別に向けた金属酸化物メモリスタによるセンサ時系列データ処理技術の基盤構築
使用金属氧化物忆阻器进行气味识别,为传感器时间序列数据处理技术奠定基础
基本信息
- 批准号:21K14211
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2021
- 资助国家:日本
- 起止时间:2021-04-01 至 2024-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
今年度は、金属酸化物メモリスタのシミュレーションモデルに基づくデバイス設計のための基盤技術構築に向け、前年度に引き続き、メモリスタの抵抗変化特性を詳細に評価するとともに、メモリスタ特性再現のためのシミュレーション並びにモデルパラメータ抽出プログラムの実装に取り組んだ。特性評価については、TaOx/TiOy積層素子を用いて、アナログセット特性のデバイス構造による違いを詳細に評価した。特に、セット時の最大電流(I_set,max)とセット後の抵抗値(R_LRS)の関係を調べたところ、I_set,maxが小さい領域では、I_set,maxを大きくするに伴いR_LRSが増加する挙動を示す素子が見られた。そして、I_set,maxが15 mA近傍でRLRSが最大となり、さらなるI_set,maxの増加に対しては、逆にR_LRSが減少する挙動を示した。この結果は、本研究においてはTiOy層の抵抗成分が無視できず、I_set,maxの大きさに依存して、セットに伴うTiOy層の抵抗増加とフィラメント径の増大による抵抗減少が拮抗していることを示唆する。そして、シミュレーションモデル構築の観点からいえば、両者の寄与を考慮することが必要であることが明らかとなった。シミュレーションモデルの実装については、先行研究において提案されている積層構造メモリスタにおけるコンパクトモデル(Torre et al., TED, 66, 1268(2019))を基に、特性の再現に取り組んだ。本モデルでは、微分方程式と非線形連立方程式を逐次解くことになるが、文献の微分方程式の解法では精度が不十分であることが明らかとなった。そこで、解法を種々検討し、有意な結果を得ることに成功した。その後、パラメータ最適化手法として、電流-電圧特性の計算結果に対してベイズ最適化を用いたパラメータ最適化を行うプログラムを実装した。
This year, the metal acid matrix design of the substrate technology construction direction, the previous year, the introduction of the matrix, the resistance of the matrix characteristics of the detailed evaluation of the matrix, the matrix characteristics of the reproduction of the matrix and the matrix extraction of the assembly. Characteristics evaluation: TaOx/TiOy multilayer elements are used, and the characteristics and structure of TaOx/TiOy are evaluated in detail. The relationship between maximum current (I_set,max) and resistance value (R_LRS) at the time of entry is adjusted to the range of small current, I_set, max, and large current, with the increase of R_LRS. I_set,max = 15 mA, RLRS = max, I_set,max = increase, R_LRS = decrease, RLRS = decrease. The results show that the resistance component of TiOy layer is independent of the resistance component of TiOy layer, and the resistance component of TiOy layer is dependent on the resistance component of TiOy layer. It is necessary to consider the construction of the project. (Torre et al., TED, 66, 1268(2019)) Select groups for base, feature and reproduction. The differential equation and non-linear continuous equation are solved successively. The solution of differential equation in literature is not accurate enough. The answer is yes, yes, yes. The optimization method of current-voltage characteristics is used to optimize the calculation results of current-voltage characteristics
项目成果
期刊论文数量(7)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Impact of the Composition and Thickness of the Oxygen Scavenging Layer on the Analog Reset Characteristics of Pt/TaOx/TiOy/Pt Resistive Switching Devices
除氧层的成分和厚度对Pt/TaOx/TiOy/Pt电阻开关器件模拟复位特性的影响
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:森田俊;山本健太;廣田丈裕;吉河武文;岩田達哉;森田俊;Takehiro Hirota;Tatsuya Iwata
- 通讯作者:Tatsuya Iwata
金属酸化物メモリスタによる特徴量パターン取得のためのセンサ抵抗-電圧変換回路の設計とガス識別
使用金属氧化物忆阻器进行特征模式采集的传感器电阻电压转换电路和气体识别设计
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:森田俊;山本健太;廣田丈裕;吉河武文;岩田達哉;森田俊;Takehiro Hirota;Tatsuya Iwata;廣田 丈裕;廣田 丈裕
- 通讯作者:廣田 丈裕
TaOx/TiOy積層型メモリスタにおけるアナログセット特性に素子構造が及ぼす影響
器件结构对 TaOx/TiOy 堆叠忆阻器模拟设置特性的影响
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:森田俊;山本健太;廣田丈裕;吉河武文;岩田達哉
- 通讯作者:岩田達哉
ガス識別に向けたセンサ抵抗-電圧変換回路の作製と金属酸化物メモリスタによるセンサ特徴量パターン抽出
使用金属氧化物忆阻器制作用于气体识别和传感器特征模式提取的传感器电阻电压转换电路
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:森田俊;山本健太;廣田丈裕;吉河武文;岩田達哉;森田俊;Takehiro Hirota;Tatsuya Iwata;廣田 丈裕
- 通讯作者:廣田 丈裕
Gas Discrimination Based on Feature Patterns of Sensor Transient Extracted by Memristor with Resistance-Voltage Converter
基于阻电压转换器忆阻器提取的传感器瞬态特征模式的气体判别
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:森田俊;山本健太;廣田丈裕;吉河武文;岩田達哉;森田俊;Takehiro Hirota
- 通讯作者:Takehiro Hirota
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岩田 達哉其他文献
シナプスレベルの活動観察に向けた2μmピッチイオンイメージセンサの開発と 海馬スライス微小領域への応用
开发用于观察突触水平活动的2μm节距离子图像传感器并应用于海马切片的微观区域
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
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- 发表时间:
2016 - 期刊:
- 影响因子:0
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澤田 和明
In-plane polarized light emissions in non-polar m-plane CdxZnO/ZnO quantum wells
非极性 m 面 CdxZnO/ZnO 量子阱中的面内偏振光发射
- DOI:
- 发表时间:
2011 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
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H. Matsui and H. Tabata
Crystallinity control of sputtered ZnO films by utilizing buffer layers fabricated via nitrogen mediated crystallization: Effects of nitrogen flow rate
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- DOI:
- 发表时间:
2012 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
西 佑介;岩田 達哉;木本 恒暢;H. Matsui and H. Tabata;N. Itagaki - 通讯作者:
N. Itagaki
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