ホイスラー型ワイル磁性体薄膜の電子構造解明と熱電能の増強
ホイスラー型ワイル磁性体薄膜の電子構造解明と熱電能の増強
批准号:
21K14540
负责人:
角田 一樹
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2021
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2021-04-01 至 2024-03-31
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ホイスラー合金はX2YZの組成式で表される典型的な金属間化合物である。X, Y, Zの各サイトにはさまざまな元素を配置することが可能であり、膨大な数の元素の組み合わせが存在している。2022年度は主にCo2(Mn,Fe)Si薄膜の電子構造に注目して研究を進めた。Co基ホイスラー合金は高スピン偏極かつ高キュリー温度という応用上極めて重要な特性を併せ持つ場合が多い。特に、Co2MnSiはフェルミ準位におけるスピン偏極率が100%となるハーフメタル材料の代表的な候補物質である。一方、MnをFeに置き換えたCo2FeSiは、ハーフメタル電子構造だけではなくトポロジカルに非自明なバンド構造に起因する大きなベリー曲率や巨大異常ホール・ネルンスト効果の発現が理論的に予測されており、最近注目を集めている。Co2FeSiの電子構造計算には経験的に3-5eV程度のオンサイトクーロン相互作用を取り入れている場合が多い。しかしながら、実験的に相互作用の大きさが評価されていないため、ハーフメタル電子構造やトポロジカルに非自明なバンド分散が実際の系で形成されているかは未解明のままであった。そこで、Co2MnSi, Co2(Mn,Fe)Si, Co2FeSi薄膜に対してバルク敏感な軟X線共鳴光電子分光を行い、価電子帯における部分状態密度の観測および第一原理計算との比較を試みた。その結果、これらの系におけるMnおよびFe-3d部分状態密度はオンサイトクーロン相互作用をほとんど取り入れていない第一原理計算によって再現できることが明らかとなり、Co2FeSiがハーフメタル材料ではないことを示唆する結果が得られた(論文執筆中)。また、研究代表者がこれまで行なってきたCo基ホイスラー合金の電子構造に関する研究成果を解説記事としてまとめた(固体物理に掲載)。
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Spin-Resolved Photoemission of Heusler-Type Weyl Ferromagnet Films
Heusler 型 Weyl 铁磁体薄膜的自旋分辨光电发射
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[角田一樹, 日下翔太郎, 竹田幸治, 小林功佳, 平原徹, Kazuki Sumida]
通讯作者:
Kazuki Sumida
ホイスラー合金Co2MnSi薄膜におけるスピン偏極電子構造の温度依存性の観測
Heusler合金Co2MnSi薄膜中自旋极化电子结构温度依赖性的观察
DOI:
--
发表时间:
2021
期刊:
影响因子:
--
作者:
[角田一樹, 鹿子木将明, 桜庭裕弥, 増田啓介, 河野嵩, 後藤一希, 宮本幸治, 三浦良雄, 宝野和博, 奥田太一, 木村昭夫]
通讯作者:
木村昭夫
時間分解光電子分光および磁気円二色性分光を用いたカルコゲン化合物の電子状態の研究
利用时间分辨光电子能谱和磁圆二色光谱研究硫属化合物的电子态
DOI:
--
发表时间:
2023
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Kono, M. Kakoki, T. Yoshikawa, X. Wang, K. Sumida, T. Muro, K. Goto, Y. Sakuraba, R. Y. Umetsu, and A. Kimura, 角田一樹]
通讯作者:
角田一樹
可視光および中赤外光を用いた時間分解光電子分光によるトポロジカル絶縁体(Sb,Bi)2Te3の超高速ダイナミクス
使用可见光和中红外光的时间分辨光电子能谱研究拓扑绝缘体 (Sb,Bi)2Te3 的超快动力学
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[角田一樹, 鹿子木将明, J. Reimann, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, J. Guedde, U. Hoefer, 木村昭夫]
通讯作者:
木村昭夫
DOI:
10.1103/physrevb.103.205405
发表时间:
2021-05-04
期刊:
PHYSICAL REVIEW B
影响因子:
3.7
作者:
[Fukasawa, T., Kusaka, S., Hirahara, T.]
通讯作者:
Hirahara, T.
共 16 条
機能磁性材料ホイスラレンの創生と電子構造の解明
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批准号:24K17614
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项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2024
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负责人:角田 一樹
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依托单位:
二次元ファンデルワールス原子層薄膜における室温強磁性の起源解明
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批准号:19J00858
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$3.08万
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财政年份:2019
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负责人:角田 一樹
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依托单位:
時間・スピン分解光電子分光によるディラック電子系のスピンダイナミクスの研究
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批准号:16J03874
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2016
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负责人:角田 一樹
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依托单位:
海外基金