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マイクロ集光レーザーを用いた磁気ドメイン選択的ARPESによるワイル磁性体の研究

使用微聚焦激光通过磁域选择性 ARPES 研究韦尔磁体

基本信息

批准号：
22KJ0571
负责人：
田中宏明
金额：
$ 1.41万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-03-08 至 2024-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

hBN薄片に対する角度分解光電子分光（ARPES）測定のため、装置の改良を行った。前年度に製作したバキュームスーツケースについて、高真空を維持するための改良および手順の確立に成功した。hBN単結晶試料からスコッチテープ法により薄片を得たのち、それをARPES実験用の真空チャンバーまで窒素雰囲気または高真空環境を維持したまま輸送することで、薄片を一度も大気にさらさず清浄表面を維持することができた。その結果、hBN薄片に対するARPES測定に成功した。測定の結果、バルク（結晶内部）では対称性に由来しバンドが縮退するべき箇所が0.8 eVものギャップを隔てていることが分かった。これは、ARPESで観測できる結晶表面近傍においては対称性が破れていることに由来すると考えられる。この点を検証するため、光電子強度分布を計算するソフトウェアを開発した。本ソフトウェアの特徴は先行研究にあるようなモデル化を行わない点であり、第一原理計算の結果を直接用いて光電子励起確率を計算することができる。このため、スラブ系のような大規模な物質も取り扱うことができる。スラブから結晶表面近傍のみを取り出して光電子強度分布を計算することで、実験で観測されたエネルギーギャップを再現することに成功した。

HBN thin films are characterized by angular decomposition, photoelectron spectroscopy (ARPES), and improved devices. In the previous year, we made sure that we were successful in making sure that we were successful in the previous year. The hBN results show that the thin film is sensitive, and the ARPES is used to maintain the high vacuum environment. The high vacuum environment is maintained and the thin film is used to clean the surface. The results showed that the ARPES test of hBN thin slice was successful. The results of the test, the results of the test (inside the results), the reason for the symmetry of the test results, the results of the test results (inside the results). The results show that the surface of the crystal is close to the surface of the crystal. The symmetry of the crystal surface is very important. The reason for this is very important. It is necessary to calculate the intensity distribution of photovoltaics and photovoltaics. In this project, we first study how to change the number of customers and calculate the results of the first-principle calculation directly using the excitation rate of photoelectrons. in this paper, we first make a study on the first-principle calculation results by using the excitation rate of photoelectrics to calculate the results of the first-principle calculation. This is the first time that a large-scale model is used. The calculation of the intensity distribution of photoelectrons is based on the near-surface measurement of the crystal surface.