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Atomic structure elucidation and modulation for Al2O3/diamond interface
Al2O3/金刚石界面的原子结构阐明和调制
基本信息
- 批准号：22K14287
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We focused on the Al2O3/diamond interface by modulating the pre-wet treatment times before the ALD process. We found that the sample without wet annealing treatment shows large Dit, in the order of 1012~1013 cm－2eV－1. Dit is reduced by one order of magnitude lower when wet annealing treatments were performed. Dit has no significant change with increasing wet annealing treatments. The sample with annealing for 3h shows lower Dit in the relatively deep energy position.
我们专注于Al 2 O3/金刚石界面，通过调节ALD工艺之前的预湿处理时间。我们发现，未经湿法退火处理的样品显示出大的Dit，在1012~1013 cm-2 eV-1的数量级。当进行湿退火处理时，Dit降低了一个数量级。随着退火处理次数的增加，Dit没有明显的变化。退火3 h的样品在相对深的能量位置显示出较低的Dit。
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical characterization of Al2O3/diamond MOS interface under various wet-annealing times
不同湿法退火时间下Al2O3/金刚石MOS界面的电学特性
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Zhang;T. Matsumoto ;M. Sometani;M. Ogura;T. Makino;D. Takeuchi; C.E. Nebel;T. Inokuma;S. Yamasaki;and N. Tokuda
- 通讯作者：and N. Tokuda
Impact of wet annealing treatments on Al2O3/diamond MOS interface
湿式退火处理对Al2O3/金刚石MOS界面的影响
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Zhang;T. Matsumoto ;M. Sometani;M. Ogura;T. Makino;D. Takeuchi; C.E. Nebel;T. Inokuma;S. Yamasaki;and N. Tokuda
- 通讯作者：and N. Tokuda
Recent Progress in Electrical Characterization of Al2O3/Diamond Interface
Al2O3/金刚石界面电学表征的最新进展
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Zhang;T. Matsumoto;M. Sometani;M. Ogura;T. Makino;D. Takeuchi; C.E. Nebel;T. Inokuma;S. Yamasaki;and N. Tokuda
- 通讯作者：and N. Tokuda
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