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極低温環境下におけるSi-MOS界面散乱体の起源解明に向けた定量化手法の確立
建立定量方法来阐明低温环境中 Si-MOS 界面散射体的起源
基本信息
- 批准号：23K13379
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2025-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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会议论文数量（0）
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岡 博史其他文献
近赤外イメージセンサーに向けた石英基板上裏面照射型GeSnフォトダイオードアレイの開発
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透明基板上単結晶GeSn n+/p接合フォトダイオードの作製と評価
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- 发表时间：
2004 - 期刊：
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- 作者：
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尾川 浩
横方向液相成長により作製したSb ドープ単結晶GeSn n チャネルTFT
横向液相外延制备Sb掺杂单晶GeSn n沟道TFT
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
岡 博史;冨田 崇史;細井 卓治;志村 考功;渡部 平司 - 通讯作者：
渡部 平司
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高精度歪み制御による直接遷移型IV族混晶半導体の創出と発光特性評価
通过高精度应变控制创建直接跃迁IV族混晶半导体并评估发光特性
- 批准号：
18H05912 - 财政年份：2018
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光電子集積回路に向けた高移動度ＧｅＳｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒトランジスタ技術
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16J00819 - 财政年份：2016
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16790658 - 财政年份：2004
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相似国自然基金
CMOS兼容的硅基直接外延多波长量子点DFB激光器阵列
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相似海外基金
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- 批准号：
23340053 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Organic integrated circuits using pseudo-CMOS circuit configurations
使用伪 CMOS 电路配置的有机集成电路
- 批准号：
23860010 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
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Development of cryogenic LSI based on an FD-SOI-CMOS technology for Terahertz high sensitive sensors
开发基于 FD-SOI-CMOS 技术的太赫兹高灵敏度传感器低温 LSI
- 批准号：
21760321 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
MOSトランジスタのサブスレッショルド特性を利用したスマートセンサLSIの開拓
利用MOS晶体管的亚阈值特性开发智能传感器LSI
- 批准号：
07J02413 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
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CMOSサブスレッショルド特性を利用したスマートセンサLSIの開拓
利用CMOS亚阈值特性开发智能传感器LSI
- 批准号：
17760266 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 3万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)