建立定量方法来阐明低温环境中 Si-MOS 界面散射体的起源-猫眼课题宝

建立定量方法来阐明低温环境中 Si-MOS 界面散射体的起源

批准号：

23K13379

负责人：

岡博史

金额：

$3.0万

依托单位：

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Early-Career Scientists

财政年份：

2023

资助国家：

日本

项目状态：

未结题

起止时间：

2023-04-01 至 2025-03-31

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23K13379/

关键词：

Si MOSFET クライオCMOS 極低温キャリア散乱界面準位評価

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高精度歪み制御による直接遷移型IV族混晶半導体の創出と発光特性評価

批准号：

18H05912
项目类别：

Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
资助金额：

$1.91万
财政年份：

2018
负责人：

岡博史
依托单位：

National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

光電子集積回路に向けた高移動度ＧｅＳｎ－ｏｎ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒトランジスタ技術

批准号：

16J00819
项目类别：

Grant-in-Aid for JSPS Fellows
资助金额：

$0.83万
财政年份：

2016
负责人：

岡博史
依托单位：

Osaka University

ダーモスコピー画像を用いた悪性黒色腫と色素細胞母斑のサーバ上自動判別システム

批准号：

16790658
项目类别：

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
资助金额：

$2.24万
财政年份：

2004
负责人：

岡博史
依托单位：

Keio University