耐高温SiC集積回路の研究
耐高温SiC集積回路の研究
耐高温SiC集成电路研究
批准号：
24K17307
负责人：
金子 光顕
金额：
$2.91万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2024
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2024-04-01 至 2027-03-31
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会议论文
Logic threshold voltage stabilization in silicon carbide integrated circuits within a wide temperature range
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批准号：21K14209
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项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
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资助金额：$2.91万
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财政年份：2021
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负责人：金子 光顕
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依托单位：
窒化アルミニウムガリウム超格子のコヒーレント成長機構解明とデバイス応用基礎
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批准号：14J07117
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$2.05万
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财政年份：2014
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负责人：金子 光顕
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依托单位：