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多重外場応答を利用したトランジスタに匹敵するイオン伝導度スイッチング材料の構築

多重外場応答を利用したトランジスタに匹敵するイオン伝導度スイッチング材料の構築
使用多个外场响应构建与晶体管相当的离子电导率开关材料
批准号:
24K17693
负责人:
青木 健太郎
金额:
$2.91万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2027-03-31
关键词:

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光応答性部位の相乗効果により高い光スイッチング特性を発現するプロトン伝導体の構築
多彩な幾何学的形状を有する金属錯体ナノチューブの創製と機能開拓
  • 批准号:
    19J23310
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 资助金额:
    $1.98万
  • 财政年份:
    2019
  • 负责人:
    青木 健太郎
  • 依托单位: