光応答性部位の相乗効果により高い光スイッチング特性を発現するプロトン伝導体の構築

由于光响应位点的协同效应,构建具有高光开关特性的质子导体

基本信息

项目摘要

本研究では、複合的に光応答性部位を導入した金属錯体を開発し、光応答性部位の協奏的作用を誘起することで高いイオン伝導度スイッチング材料を創成する。さらに、光応答性部位の選択的な異性化反応による対照実験や光照射下のオペランド測定からスイッチング機構を多角的に検討・解明することで、高いオン・オフ比を示す光誘起イオンスイッチング材料の設計指針を確立することを目的としている。今年度は、構造変化とpKa変化を誘起する光応答性部位を導入した配位子を鉄イオンと反応させて金属錯体を合成し、この錯体の光照射前の構造を明らかとした。この錯体の光応答性部位の異性化波長を同定したのち、298 Kにおける光照射前後のプロトン伝導度変化を検討した。その結果、二つの光応答性部位の一方のみを異性化させた際のイオン伝導度のオン・オフ比は2.5および10^2と低い一方で、二つの光応答性部位を同時に異性化させることで協奏的な作用が誘起され、10^5に至る高いオン・オフ比を示すことが分かった。さらに、このイオン伝導度のスイッチングは光照射のオン・オフに対して可逆的に応答することを明らかとした。また、スイッチング機構解明を志向して二つの光応答性部位を逐次的に異性化させる過程で、二つの光応答性部位はともに異性化しているものの、10^5のオン・オフ比を示す相とは異なる結晶構造を有し、イオン伝導度のオン・オフ比が500程度の中間相を見出した。この相は異性化波長の光照射強度を上げることで10^5のオン・オフ比を示す相に転移する中間相であることを見出した。さらに、二つの光応答性部位の異性化波長の照射強度を系統的に変化させた際の構造相転移挙動を解明した。
In this study, the introduction of complex photoresponsive sites, the development of metal complexes, and the interaction of photoresponsive sites were induced to create high conductivity materials. In addition, the selection of optically responsive parts of the heterosexual reaction, the comparison of light irradiation, the selection of light irradiation, the determination of light irradiation mechanism, the analysis of multi-angle, the determination of light induction, the establishment of light induction material design guidelines, the purpose of light irradiation. This year, the structural transformation and pKa transformation induced by the introduction of ligands, iron, iron The heteromorphic wavelength of the optically responsive part of the dislocation was determined at 298 K and the heteromorphic conductivity before and after light irradiation was discussed. As a result, one of the two optically responsive sites was differentiated between the two sites, and the other between the two sites was differentiated between the two sites. The ratio of the two sites was 2.5 to 10^2. The ratio of the two sites to the other was 10^5 to 10^2. The ratio of the two sites to the other was 2.5 to 10^5. For example, if the light source is not visible, the light source will be visible. The structure of the crystal structure is characterized by the successive heterogenization of the two optically responsive sites, the heterogenization of the two optically responsive sites, and the intermediate phase of the crystal structure with a conductivity of 500. The intensity of light irradiation at the different wavelengths of the phases increases by 105%, and the phase shifts by 105%. In addition, the anisotropic wavelength and illumination intensity of the two optically responsive parts are systematically changed and the structural phase shift is explained.

项目成果

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光応答性部位の協奏による 高いイオン伝導度スイッチング材料の開発
通过光响应位点的协作开发高离子电导率开关材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    水野貴大;村松佳祐;和田宏明;黒田一幸;下嶋敦;青木健太郎 長尾祐樹
  • 通讯作者:
    青木健太郎 長尾祐樹
光応答性部位の協奏に起因した 高いイオン伝導度スイッチング材料の開発
通过光响应位点的合作开发高离子电导率开关材料
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Keisuke Muramatsu;Yuta Takemura;Ryota Saito;Angga Hermawan;Wataru Sugimoto;青木健太郎
  • 通讯作者:
    青木健太郎
Investigation of Proton Conductivity Switching Using Metal Complex with Multi Light-responsive Units
使用具有多个光响应单元的金属络合物进行质子电导率切换的研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    村松佳祐;神場未菜;和田宏明;下嶋敦;黒田一幸;Kentaro Aoki and Yuki Nagao
  • 通讯作者:
    Kentaro Aoki and Yuki Nagao
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  • 影响因子:
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    犬飼 裕也;Yuze Yao;小野 祐太朗;Agman Gupta;Rahul Bhardwaj;青木 健太郎;長尾 祐樹;桑原隼人・近藤政晴・出羽毅久
  • 通讯作者:
    桑原隼人・近藤政晴・出羽毅久

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