電子活性な空隙へのイオン拡散に基づく室温固相反応を用いた、薄膜デバイスの創製
電子活性な空隙へのイオン拡散に基づく室温固相反応を用いた、薄膜デバイスの創製
批准号:
24K17753
负责人:
辻 昌武
金额:
$3.0万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份:
2024
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2024-04-01 至 2026-03-31
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会议论文
電子活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索
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批准号:23K19266
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项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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资助金额:$1.83万
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财政年份:2023
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负责人:辻 昌武
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依托单位:
環境低負荷な光デバイス創製に向けた新規発光材料の探索
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批准号:20J13994
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$1.34万
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财政年份:2020
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负责人:辻 昌武
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依托单位: