電子活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索

利用电子活性空洞寻找新型 p 型半导体和发光材料

基本信息

  • 批准号:
    23K19266
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2023
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2023-08-31 至 2025-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

辻 昌武其他文献

Zn置換によるCuIのホール濃度低下とそのメカニズム
Zn取代导致CuI中空穴浓度降低及其机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    辻 昌武;飯村 壮史;金 正煥;細野 秀雄
  • 通讯作者:
    細野 秀雄

辻 昌武的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('辻 昌武', 18)}}的其他基金

電子活性な空隙へのイオン拡散に基づく室温固相反応を用いた、薄膜デバイスの創製
使用基于离子扩散到电子活性腔的室温固相反应创建薄膜器件
  • 批准号:
    24K17753
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
環境低負荷な光デバイス創製に向けた新規発光材料の探索
寻找新的发光材料来制造对环境影响较小的光学器件
  • 批准号:
    20J13994
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

相似海外基金

III属窒化物半導体のイオン注入不純物活性化機構の解明と点欠陥制御
阐明III族氮化物半导体中的离子注入杂质激活机制和点缺陷控制
  • 批准号:
    23K21082
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
  • 批准号:
    24K08270
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
熱平衡点欠陥濃度の理論評価手法の開発
热平衡点缺陷浓度理论评估方法的发展
  • 批准号:
    24K01173
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
双結晶と先端サブナノ計測技法を高度に連携させた電界誘起点欠陥の同定とその精密計測
通过高度连接的双晶和先进的亚纳米测量技术识别电场引起的点缺陷及其精确测量
  • 批准号:
    24K01156
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
圧力誘起点欠陥を活用した超低熱伝導単結晶熱電材料の創出
利用压力诱导点缺陷创建超低导热率单晶热电材料
  • 批准号:
    23K23429
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
点欠陥の流動と凝縮の素過程解明にもとづく塑性機能電子デバイスの創製
基于点缺陷流动和凝结基本过程的阐明,创建塑料功能电子器件
  • 批准号:
    23K26380
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
第一原理計算と機械学習を用いた酸化物固溶体の電子状態・点欠陥の俯瞰的解析
使用第一性原理计算和机器学习对氧化物固溶体中的电子态和点缺陷进行概述分析
  • 批准号:
    24KJ1104
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
高速機械学習と連携させた原子間ポテンシャルの開発と半導体結晶中の点欠陥の解析
结合高速机器学习和半导体晶体点缺陷分析来开发原子间势
  • 批准号:
    23K04604
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
窒化ガリウム中の真性点欠陥が形成する準位およびアニール挙動の統一的モデル確立
氮化镓本征点缺陷形成能级统一模型及退火行为的建立
  • 批准号:
    23KJ1107
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
強電場下におけるセラミックスの点欠陥構造と高温物質輸送に関する研究
强电场下陶瓷点缺陷结构与高温传质研究
  • 批准号:
    22KJ2441
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 1.83万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了