電子活性な空隙を利用した新規p型半導体および発光材料の探索
利用电子活性空洞寻找新型 p 型半导体和发光材料
基本信息
- 批准号:23K19266
- 负责人:
- 金额:$ 1.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份:2023
- 资助国家:日本
- 起止时间:2023-08-31 至 2025-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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