D状態を利用した高感度・高速応答のサブミリ波検知器
D状態を利用した高感度・高速応答のサブミリ波検知器
批准号:
X00120----285014
负责人:
成田 信一郎
金额:
$1.73万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份:
1977
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1977 至 --
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会议论文
半導体における遠赤外誘導ラマン効果の研究
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批准号:X00080----546022
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$5.82万
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财政年份:1980
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
磁性ナローギャップ半導体による赤外チューナブルレーザー材料の研究
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批准号:X00120----485040
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1979
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
TEA炭酸ガスレーザー励起遠赤外レーザーによる半導体の励起状態の動的過程の研究
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批准号:X00040----320914
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1978
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
サブミリ波による半導体表面電子状態の研究
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批准号:X00080----246017
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$4.99万
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财政年份:1977
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
高感度半導体遠赤外検知器
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批准号:X00120----085142
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$0.79万
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财政年份:1975
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
サブミリ波領域における半導体の電子構造の研究
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批准号:X00070----842007
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$12.42万
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财政年份:1973
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
遠赤外レーザーによる光物性の研究
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批准号:X45040-----92031
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1970
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
エピタキシアル法による化合物半導体およびその混晶の製造
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批准号:X45120----450005
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$0.38万
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财政年份:1970
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
エピタキンアル法による化合物半導体およびその混晶の製法
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批准号:X44120-----50005
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$0.45万
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财政年份:1969
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负责人:成田 信一郎
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依托单位:
遠赤外レーザによる光物性の研究
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批准号:X44040-----95040
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1969
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负责人:成田 信一郎
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依托单位: