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磁性ナローギャップ半導体による赤外チューナブルレーザー材料の研究

磁性ナローギャップ半導体による赤外チューナブルレーザー材料の研究
磁性窄隙半导体红外可调谐激光材料的研究
批准号：
X00120----485040
负责人：
成田 信一郎
金额：
$1.34万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份：
1979
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1979 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-X00120----485040/
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半導体における遠赤外誘導ラマン効果の研究
  • 批准号：
    X00080----546022
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $5.82万
  • 财政年份：
    1980
  • 负责人：
    成田 信一郎
  • 依托单位：
    Osaka University
TEA炭酸ガスレーザー励起遠赤外レーザーによる半導体の励起状態の動的過程の研究
  • 批准号：
    X00040----320914
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $1.28万
  • 财政年份：
    1978
  • 负责人：
    成田 信一郎
  • 依托单位：
    Osaka University
D状態を利用した高感度・高速応答のサブミリ波検知器
  • 批准号：
    X00120----285014
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
  • 资助金额：
    $1.73万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    成田 信一郎
  • 依托单位：
    Osaka University
サブミリ波による半導体表面電子状態の研究
  • 批准号：
    X00080----246017
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
  • 资助金额：
    $4.99万
  • 财政年份：
    1977
  • 负责人：
    成田 信一郎
  • 依托单位：
    Osaka University