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LaB6を用いた熱電界放出型高輝度微細電子ビーム発生用電子銃の開発

LaB6を用いた熱電界放出型高輝度微細電子ビーム発生用電子銃の開発
开发使用LaB6产生高亮度精细电子束的热场发射型电子枪
批准号:
X00120----385112
负责人:
柴田 幸男
金额:
$2.88万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
财政年份:
1978
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1978 至 1979
关键词:

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超高速高密度半導体機能素子に関する研究
  • 批准号:
    58209004
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $3.26万
  • 财政年份:
    1983
  • 负责人:
    柴田 幸男
  • 依托单位:
センサエレクトロニクスの基礎的研究
  • 批准号:
    58390001
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
  • 资助金额:
    $5.06万
  • 财政年份:
    1983
  • 负责人:
    柴田 幸男
  • 依托单位:
プラズマプロセスによるGaAs薄膜太陽電池
  • 批准号:
    58045014
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Energy Research
  • 资助金额:
    $1.34万
  • 财政年份:
    1983
  • 负责人:
    柴田 幸男
  • 依托单位:
超高速高密度半導体機能素子に関する研究
  • 批准号:
    57217003
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额:
    $1.09万
  • 财政年份:
    1982
  • 负责人:
    柴田 幸男
  • 依托单位: