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複合膜による化合物半導体素子表面の不活性化に関する研究

複合膜による化合物半導体素子表面の不活性化に関する研究
复合薄膜对化合物半导体器件表面失活的研究
批准号：
X00040----111101
负责人：
柴田 幸男
金额：
$6.72万
依托单位：
Tohoku University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Special Project Research
财政年份：
1976
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1976 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-X00040----111101/
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超高速高密度半導体機能素子に関する研究
  • 批准号：
    58209004
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $3.26万
  • 财政年份：
    1983
  • 负责人：
    柴田 幸男
  • 依托单位：
    Tohoku University
センサエレクトロニクスの基礎的研究
  • 批准号：
    58390001
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Co-operative Research (A)
  • 资助金额：
    $5.06万
  • 财政年份：
    1983
  • 负责人：
    柴田 幸男
  • 依托单位：
    Tohoku University
プラズマプロセスによるGaAs薄膜太陽電池
  • 批准号：
    58045014
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Energy Research
  • 资助金额：
    $1.34万
  • 财政年份：
    1983
  • 负责人：
    柴田 幸男
  • 依托单位：
    Tohoku University
超高速高密度半導体機能素子に関する研究
  • 批准号：
    57217003
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Special Project Research
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1982
  • 负责人：
    柴田 幸男
  • 依托单位：
    Tohoku University