权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

有機金属気相成長による原子オーダでの平坦ヘテロ界面形成と電子波共鳴による評価

通过有机金属气相外延形成原子级平面异质界面并通过电子波共振进行评估

基本信息

批准号：
09750346
负责人：
須原理彦
金额：
$ 1.28万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究では、InP/GaInAs共鳴トンネルダイオードを有機金属気相成長法により作製し、実測したデバイスの電流・電圧特性から結晶成長条件とへテロ界面の原子オーダでの平坦化との関係を明らかにすることを目的としている。III族有機金属材料としてトリエチルインジウム、トリエチルガリウムを、IV族材料としてフォスフィン、アルシンを用いた。それら材料ガスの流量を制御し,V族対III族ガスの流量比を他の結晶成長方に比べて1桁以上大きい2000程度にすることにより原子オーダで平坦な成長表面を実現した。成長温度600℃の場合原子層ステップと均等幅の平坦テラスが形成可能な成長速度の上限はInPで0.5ML/secである。また、InPにジシランをドーパント材料としてデルタドーピングする場合(シートドーピング濃度8×1012cm-2)でも、成長表面が平坦性を保つ成長条件を見いだした。成長表面の観測には原子間力顕微鏡を用い2μm四方での観測でステップの間隔、高さを評価しているが、同時に数十μm四方でステップ形状の同等性も確認している。得られた平坦化成長条件を用いてInP/GaInAs共鳴トンネルダイオード元ウエハを作製した。試作した2重障壁、3重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性から共鳴エネルギー準位幅を評価し、ステップフロー成長により共鳴準位幅が7meV程度まで狭搾化できることを明らかにした。

In this study, we use InP/GaInAs to analyze the mechanical phase growth of organic metals, to determine the growth conditions of the characteristics of current and electricity, and to flatten the interface between atoms and electrons. III family organic metal materials are used in the market. They are used in different parts of the world. They are used in family IV. The flow rate of the material is controlled by the flow control system, and the flow rate of the V group III group is 2000 higher than that of the truss. The temperature is 2000 higher than that of the truss. The growth temperature is 600C, and the average amplitude of the atomic temperature is flat. The upper limit of the growth rate may be called InP 0.5ML/sec temperature. The temperature, InP, temperature, temperature The atomic force micrometer of the growing surface is used to confirm the equivalence of the shape of the growth surface by using a square temperature of 2 μ m, a high temperature of 10 μ m and a shape of tens of μ m at the same time. If you want to flatten the growth condition, you can use the InP/GaInAs system to make sure that you can use the data to make sure that the data is not available. It is necessary to adjust the amplitude of the current-electrical characteristics of the two-and three-bulkheads, and to adjust the amplitude of the current-electrical characteristics, the growth of the barrier, the amplitude of the 7meV, the amplitude of the current, the electrical characteristics, the amplitude, the amplitude.