強誘電体薄膜のマイクロアクチュエーターへの応用

铁电薄膜在微执行器中的应用

基本信息

  • 批准号:
    09750363
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.09万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1997
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1997 至 1998
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

多元スパッタリング法を用いて、(Pb,Ca)TiO_3(PCT)薄膜を比較的低温の460℃で作製することに成功した。得られたPCT薄膜は基板の種類、基板温度によって特性が変化した。Ca含有量が0.30mol%の膜厚200nmの薄膜において、Pt/Ti/SiO_2/Si基板上に基板温度460℃で作製した薄膜は残留分極22.5μC/cm^2、比誘電率225、Pt/MgO上に基板温度500℃で作製した薄膜は残留分極41μC/cm^2、比誘電率174であった。ここで得られた比較的小さな比誘電率と高い残留分極を有する特性はマイクロアクチュエーターや赤外線センサーに応用するのに十分な可能性を持つ事を示している。ECR(Electron Cyclotron Resonance)スパッタリング法により、SrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜を作製した。Biを過剰にしたターゲットSrBi_<26>Ta_2O_<9+δ>を用いた。基板温度600℃でスパッタした薄膜はAs-DepositedでSBTの構造を示す薄膜が得られたが、強誘電特性を示す薄膜は得られなかった。Pt/Ti/SiO_2/Si基板上に基板温度300〜400℃でスパッタした薄膜を750℃、800℃で熱処理した薄膜では、強誘電性に対応すると思われるヒステリシスループが現れた。熱処理温度800℃のSBT薄膜は、残留分極3.0μC/cm^2、抗電界88kV/cmを示した。X線回折によれば、この薄膜は特定の配向を示していなかった。
The multi-element method was successfully used to prepare (Pb,Ca)TiO_3(PCT) thin films at 460℃. The PCT thin films were characterized by substrate type and substrate temperature. Ca content is 0.30 mol %, film thickness is 200nm, Pt/Ti/SiO_2/Si substrate temperature is 460℃, film residual polarization is 22.5μC/cm_2, specific permittivity is 225, Pt/MgO substrate temperature is 500℃, film residual polarization is 41μC/cm_2, specific permittivity is 174 ℃. The results show that there is a high probability that the low specific inductivity, high residual polarization and high residual polarization will be used in the infrared radiation. ECR(Electron Cyclotron Resonance) is a new method for preparing SrBi_2Ta_2O_9(SBT) thin films. Bi_<26>Ta_2O_&lt;9+δ&gt; Substrate temperature 600℃, As-Deposited thin film structure, strong inductive properties Pt/Ti/SiO_2/Si substrate: substrate temperature: 300 ~ 400℃; heat treatment: 750℃; heat treatment: 800℃; heat treatment: 750℃; heat treatment: 750℃; heat treatment: 800℃; heat treatment: 750 ℃; heat treatment Heat treatment temperature 800℃ SBT thin film, residual polarization 3.0μC/cm^2, dielectric breakdown 88kV/cm X-ray reflection, film and specific alignment of the display.

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Maiwa and N.Ichinose: "Preparation and Properties of (Pb,Ca)TiO_3 Thin Films by Multiple-Cathode Sputtering" Jpn.J.Appl.Phys.36・9B. 5825-5828 (1997)
H.Maiwa 和​​ N.Ichinose:“通过多阴极溅射制备 (Pb,Ca)TiO_3 薄膜及其性能”Jpn.J.Appl.Phys.36・9B (1997)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
H.Maiwa and N.Ichinose: "Preparation and Properties of Bi_4 Ti_3O_<12> and SrBi_2Ta_2O_9 Thin Films by Electron Cyclotron Resonance(ECR)Sputtering" Journal of the Korean Physical Society. 32. S1397-S1400 (1998)
H.Maiwa 和​​ N.Ichinose:“通过电子回旋共振 (ECR) 溅射制备 Bi_4 Ti_3O_<12> 和 SrBi_2Ta_2O_9 薄膜及其性能”,韩国物理学会杂志。
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  • 批准号:
    11750270
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    1999
  • 资助金额:
    $ 1.09万
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    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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    08750378
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    1996
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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    $ 1.09万
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    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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    05750296
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.09万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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