金属-有機化合物法によるニオブ酸ストロンチウムバリウム薄膜の合成と評価

金属有机化合物法铌酸锶钡薄膜的合成与评价

• 批准号: 09750748
• 负责人: 坂本 渉
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1997
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1997 至 1998
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-09750748/
• 关键词: 金属-有機化合物法; タングステンブロンズ; (Sr, Ba) Nb_2O_6; 金属アルコキシド; 薄膜; カリウム置換(Sr, Ba) Nb_2O_6; c軸配向膜; (Sr,Ba)Nb_2O_6; カリウム置換(Sr,Ba)Nb_2O_6

研究計画に従って平成9年度に引き続き、金属-有機化合物法によるカリウム置換(Sr,Ba)Nb_2O_6(KSBN)薄膜の合成と評価に関する検討を行ったところ、以下の結果が得られた。平成9年度の結果から、MgO(100)およびPt/MgO(100)基板を薄膜調製時の基板として選択してKSBN薄膜を合成した場合には、この結晶の分極軸方向であるc軸に配向した膜が得られることがわかった。さらに、今年度はこの薄膜に関する評価を中心に行った。合成して得られた薄膜の結晶相については、配向薄膜の場合、X線回折のピーク数が少なく結晶相の同定が非常に困難であるため、ラマンスペクトル測定を行い、タングステンブロンズKSBN単相への結晶化を確認済みの粉末試料のラマンスペクトルと比較することにより同定を行った。また、この薄膜は広い波長領域で優れた透光性を示すこともわかった。MgO(100)基板上のc軸配向KSBN薄膜をX線極点図形測定によりその配向性について解析した結果、2つの異なるKSBN結晶格子がMgO(100)上にMgOのa軸に対してKSBNのa軸が18.5ﾟの角度をなして成長していることがわかった。Pt/MgO(100)基板上の薄膜についても同様の結果が得られた。さらにPt/MgO(100)基板上のc軸配向KSBN薄膜の電気的特性の評価を行ったところ、その誘電率の温度依存性からキュリー温度は約70-140℃であり、室温での誘電率は約1000-3000であることがわかった。また、強誘電体に特徴的なヒステレシスループも強誘電相が安定な低温域から室温付近の温度までの温度範囲で得られた。また、この薄膜の誘電特性の特徴としてブロードな相転移を示すリラクサー強誘電体に典型的な挙動を示すこともわかった。

Research Project: Heisei 9 Research Project: Metal-Organic Compound Method: Substitution (Sr, Ba)N The synthesis of b_2O_6 (KSBN) thin film was evaluated and the following results were obtained. Results of 2009, MgO (100) substrate Pt/MgO (100) substrate and thin film preparation substrate selection The KSBN film can be synthesized in a certain situation, and the polarization axis direction of the crystal can be aligned in the direction of the c-axis.さらに、This year's はこのfilm に关するreview価をcenterに行った. In the case of synthesizing the crystalline phase of the thin film and the alignment film, X-ray foldingのピーク数が小なくの Same determination of the crystal phase is very difficult であるため、ラマンスペクトルMeasurement of を行い, タングステンブロンズKSBN single phase へのcrystallization を confirmation The powder sample of 済みののラマンスペクトルと is compared with the same as the fixed one. The light transmittance of the thin film and the thin film are excellent in the wavelength range. X-ray pole shape measurement of c-axis aligned KSBN film on MgO (100) substrate, alignment analysis and results, 2 different KSB N crystal lattice がMgO (100) on the にMgO のa axis に対 し KSBN のa axis が 18.5ﾟの angle を な し て し て い る こ と が わ か っ た. The thin film on the Pt/MgO (100) substrate is the same as the result. Evaluation of the electrical properties of c-axis aligned KSBN thin films on Pt/MgO (100) substrates, electrical conductivity, and temperature Dependence: temperature is about 70-140℃, dielectric constant is about 1000-3000 at room temperature.また、Strong dielectric phase なヒステレシスループもStrong dielectric phase がstable なlow temperature range からroom temperature close to のtemperature までのtemperature range 囲で got られた. The characteristics of the dielectric properties of the thin film and the thin film are shown in the phase change. The strong dielectric is a typical な挙动をshow すこともわかった.

项目成果

W.Sakamoto: "Preparation and Properties of K(Sr_<0.75>Ba_<0.25>)_2Nb_5O_<15> Thin Films by Chemical Solution Deposition Method" Japanese Journal of Applied Physics. 36・9B. 5930-5934 (1997)

W. Sakamoto：“通过化学溶液沉积法制备 K(Sr_<0.75>Ba_<0.25>)_2Nb_5O_<15> 薄膜”，日本应用物理学杂志 36・9B 5930-5934 (1997)。

W.Sakamoto: "Chemical Processing of Potassium Substituted Strontium Barium Niobate Thin Films through Metallo-organics" Journal of American Ceramic Society. 81・10. 2692-2698 (1998)

W. Sakamoto：“通过金属有机物对钾取代的铌酸锶钡薄膜进行化学加工”，美国陶瓷学会杂志 81・10（1998 年）。

W.Sakamoto: "Preparation and Characterization of K(Sr_<0.5>Ba_<0.5>)_2 Nb_5O_<15> Thin Films by Sol-Gel Method" Integrated Ferroelectrics. 20. 117-128 (1998)

W.Sakamoto：“通过溶胶-凝胶法制备和表征 K(Sr_<0.5>Ba_<0.5>)_2 Nb_5O_<15> 薄膜”集成铁电体。