权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

遷移金属酸化物の機能発現に対する多次元場の効果

多维场对过渡金属氧化物功能表达的影响

基本信息

批准号：
09750758
负责人：
竹本稔
金额：
$ 0.51万
依托单位：
Kanagawa Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

项目摘要

層状ペロブスカイト型複合マンガン酸化物(La,Sr)_3Mn_2O_7は二次元の結晶構造を有している。そこで、Srの一部をBaまたはCaで置換したLa_<1.4>Sr_<1.6-x>A_xMn_2O_<7-δ>(A=Ba,Ca)を固相反応法により合成し、置換により結晶格子に化学的圧力を印加する。そして磁気抵抗特性という観点から、二次元場において化学的圧力場を与えた際のMnイオンがもたらす電気伝導性及び磁性の変化について調べ、次の知見を得た。1. A=Baではx<0.4、A=Caではx<0.4の範囲で正方晶Sr_3Ti_2O_7型構造を有する固溶体試料を得た。格子定数aおよびcは置換イオンの半径を反映してBa置換量の増加に伴い増加し、Ca置換量の増加に伴い減少した。また酸素量(7-δ)は置換イオン種、置換量に依存せずほぼ一定(〜7.10)であった。2. イオン置換しなかった試料は温度を低下させると95Kで半導体から金属への転移を示した。この転移温度はBa置換により上昇し(x=0.2で120K)、Ca置換により低下した(x=0.2で80K)。3. イオン置換しなかった試料は半導体-金属転移温度付近で強磁性転移を示した。イオン置換に伴い、Ba、Ca置換試料とも置換量の増加に伴い強磁性転移温度は低下した。つまり、置換試料では半導体-金属転移温度と強磁性転移温度は一致しなくなることを見出した。4. いずれの試料も磁気抵抗は強磁性転移温度付近で極大値を示した。

The layered ペロブスカイト type composite Malin acid compound (La,Sr)_3Mn_2O_7 has a two-dimensional crystal structure.そこで、Srの一一をBaまたはCaで综合したLa_<1.4>Sr_<1.6-x>A_xMn_2O _<7-δ>(A=Ba,Ca) is a solid phase synthesis method, a substitution method, a crystal lattice chemical pressure, and an Inca method.そしてMagnetic resistance characteristics という観Point から, two-dimensional field においてchemical pressure field を and えた久のMnイオンがもたらすelectricity気伝conductivity and magnetismの変化について Adjustmentべ、时の知见をgetた. 1. A solid solution sample was obtained based on the tetragonal Sr_3Ti_2O_7 type structure of A=Baではx<0.4 and A=Caではx<0.4. The lattice fixed number a and the replacement radius of the grid reflect the increase and decrease of the replacement amount of Ba and the increase and decrease of the replacement amount of Ca. The amount of the acid element (7-δ) is the same as the substitution amount, and the substitution amount depends on the amount of the acid (~7.10). 2. The temperature of the sample is reduced when the temperature of the sample is reduced, and the temperature of the semiconductor is reduced to 95K, and the metal is moved to the metal. When the temperature changes, Ba substitution causes an increase (x=0.2 to 120K), and Ca substitution causes a decrease in temperature (x=0.2 to 80K). 3. The sample of the イオン substitution test is a semiconductor-metal switch with a temperature close to that of a strong magnetic switch. The replacement amount of the sample with the substitution of イオン, Ba, and Ca is increased, and the ferromagnetic transformation temperature is reduced.つまり、The replacement sample is the same as the semiconductor-metal transition temperature and the ferromagnetic transition temperature. 4. The resistance of the magnet sample to strong magnetism has been shown to be extremely high as the temperature rises.