权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

ペロブスカイト型酸化物を用いたリン酸イオンセンサの開発

利用钙钛矿氧化物开发磷酸盐离子传感器

基本信息

批准号：
09750908
负责人：
清水陽一
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Kyushu Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1997
资助国家：
日本
起止时间：
1997 至 1998
项目状态：
已结题

项目摘要

酸化物の合成法:(1)アセチルアセトナト錯体法等により、ぺロブスカイト型酸化物薄膜を合成できることがわかった。(2)アセチルアセトナト錯体法、リンゴ酸法、尿酸錯体法により高表面積の複合酸化物を従来よりもかなりの低温で合成できることがわかった。電流検出型センサ:(1)ランタノイド(Ln)系ペロブスカイト型酸化物系カーボン電極を合成し、リン酸水素イオン(H_2PO_4^-,HPO_4^<2->)に対する流動検出型センサの検討を行ったところ、Ln(=La,Nd,Pr,Sm)-Co系酸化物-カーボン電極が、リン酸イオンを含む溶液中で高いアノード電極触媒活性を示し、しかもその電流値はリン酸イオン濃度に依存することがわかった。また、そのアノード電流変化を用いれば、電流検出型リン酸イオンセンサを構築できることがわかった。また、LaCoO_3薄膜電極を用いれば応答が速い(約5min〜数秒)高性能なリン酸イオンセンサが得られることを見出した。エレクトロクロミズム型センサ:遷移金属系酸化物(Co_3O_4,NiO等)をゾル-ゲル法や電析法を持ち家ITO付き基板上に作製した酸化物薄膜電極が、リン酸イオンを含む溶液中でエレクトロクロミズムを示し、しかもその透過率変化がリン酸イオン濃度の対数に比例して変化することを見出した。Co_3O_4系電極は、1.0x10^<-6>〜1.0x10^<-2>MのHPO_4^<2->に対して光学変化を示し、反応時間も約50秒と良好なリン酸イオン応答を示すことを見出した。また、本素子は、NO_3-やCl^-などに対する選択性も高く、全く新しいタイプのオプティカルリン酸イオンセンサとなることを見出した。

Acid synthesis method: (1) the synthesis of acid compound thin film. (2) the methods of high surface acid, complex acid, low temperature synthesis, high surface acid synthesis, uric acid synthesis, high surface acid synthesis, uric acid synthesis, high surface acid synthesis, uric acid synthesis, uric acid synthesis, high surface acid synthesis, uric acid synthesis, high surface acid synthesis, uric acid synthesis, low temperature synthesis. Current generator: (1) Ln is a series of acid compounds, such as hydrogen peroxide, HPO_ 4 ^ & lt;2-&gt. Ln (= La,Nd,Pr,Sm)-Co system acidified product-lead electrode, acid solution containing high concentration of hydrogen peroxide, catalytic activity indicator, current temperature indicator, temperature dependence of acid temperature on the temperature dependence of the temperature. Electricity, electricity, etc. The temperature response speed (about 5 minutes ~ seconds) of high-performance thin film photovoltaic devices (about 5 minutes ~ seconds) is very high, and the performance of LaCoO_3 thin film photovoltaics is very high. The metal system acid compound (Co_3O_4) is removed. (NiO, etc.) the ITO substrate is used as the cathode of the acidified thin film, the temperature in the solution is sensitive to the temperature, the permeability of the solution, the temperature, the temperature, the temperature and the temperature of the solution. Co_3O_4 system, 1.0x10 ^ & lt;-6>~ 1.0x10 ^ & lt;-2> MOS HPO4 ^ & lt;2-> printer optical chemistry indicator, the response time is about 50 seconds, and the response time is good. Please, NO_3-, Cl^-textbook, please select the optional high-level, all-new one. You may find that you are suffering from acidity, and that you are not happy.