上皮細胞の分化過程における低出力レーザー照射の影響-細胞内Ca^<2+>の動態とcytokeratin,involucrineの遺伝子発現-

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上皮細胞の分化過程における低出力レーザー照射の影響を明らかにする目的で、正常ヒト表皮角化細胞(NHEK)と低出力レーザー装置(Trinple D;ヨシダ)を用い、ELISA法、共焦点レーザー顕微鏡(LCSM)およびTEMにて検索を行った。その結果、レーザー照射後の培地中のEGFについては消費量の低下、TGF-αは産生促進が認められた。さらにinvolucrin、cytokeratinについては、レーザー照射後4日目より、照射群と非照射群に明らかな差が生じ、DNA発現量についても、照射後2日目には増加が認められた。一方、今回の実験系ではcontrolを含め、amphiregulinの測定は不可能であった。LCSMによる検索では、レーザー照射群においてEGF-receptor量が増加する傾向にあり、Ca^<2+>についてはレーザー照射直後よりその一過性あるいは、断続的な上昇が生ずることが明らかとなった。さらに、[γ-^<32>P]の測定より、CaM kinase IIはレーザー照射直後に活性化することが考えられた。加えて、レーザー照射後の超微細構造の変化については、細胞内オルガネラのうち、特にミトコンドリアの増殖傾向が認められた。以上の結果から、低出力レーザー照射により、NHEKの細胞内Ca^<2+>に変化が生じ、CaM kinase IIも活性化すること、また上皮細胞にオートクラインに働くTGF-αの産生の増加が生ずることで、involucrinあるいはcytolkeratinの発現も高まり、上皮細胞の分化が促進されるものと考えられた。