高角度分解能・高エネルギー分解能角度分解光電子分光を用いた低次元磁性体の研究

利用高角分辨率和高能量分辨率角分辨光电子能谱研究低维磁性材料

• 批准号: 11740192
• 负责人: 小野 寛太
• 金额: $ 1.41万
• 依托单位: The University of Tokyo
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1999 至 2000
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-11740192/
• 关键词: 角度分解光電子分光; 低次元磁性体; 分子線エピタキシー; 放射光; 磁性半導体; ナノ構造

低次元磁性体の作製のために光電子分光装置ヘ分子線エピタキシ装置を接続した。また.立ち上げた装置を用いて主として.MnAs,CrAsなどの強磁性体の超薄膜および磁性ドットの角度分解光電子分光を行った。その結果.GaAs上に成長したCrAsでは.自然界に存在するMnP型の結晶構造とは異なりZinc Blende型の結晶構造をもつことが分かった。また角度分解光電子分光の結果は.第一原理計算の結果と良い一致を示しており.Half-Metallicになっていることが示唆された。また.磁性ドットに関しては.遷移金属の3d電子の局在が強くなっていることが観測された。この他磁性半導体GaMnAs,GaCrAsについても分子線エピタキシーを用いた作製および,角度分解光電子分光による電子状態の研究を行った。

The low-order magnets are used as optical spectroscopic devices to connect the molecular lines to the optical devices. There's nothing wrong with it. The main device of the device is used. MNAs, CrAs is used to analyze the ultrathin film of the strong magnetic body. The angle is used to decompose the photoelectron spectroscopy. The results of the experiment show that the growth of GaAs is very important for the growth of CrAs. In nature, there is a MNP-type crystal to make a Zinc-type crystal, which can be used to analyze the structure of the metal. The results of angular decomposition photoelectron spectroscopy are compared. The results of the first principle calculation show that the results are good and consistent. The results of the Half-Metallic calculation show that the results are good. There's nothing wrong with it. The magnetic field is very weak. The transfer metal 3D computer bureau is working hard to improve the quality of the market. Other magnetic hemispheres, GaMnAs,GaCrAs, electron beam, electron, electron,

项目成果

小野 他: "Performance of the high-resolution high-flux monochromator at the Photon Factory bending magnet beamline BL"Nucl.Inst.Meth.A. (印刷中).

Ono 等人：“Photon Factory 弯曲磁体束线 BL 的高分辨率高通量单色仪的性能”Nucl.Inst.Meth.A（正在印刷中）。

K.Ono et al.: "Molecular Beam Epitaxy of MnSb/MnAs multilayess or GaAs"J. Cryst. Growth. 209. 556-560 (2000)

K.Ono 等：“MnSb/MnAs 多层或 GaAs 的分子束外延”J。

T.Uragami,K.Ono et al.: "The effect of S-and Se-passivation on ・・・"J. Cryst. Growth. 209. 561-565 (2000)

T.Uragami、K.Ono 等人：“S-和 Se-钝化对……的影响”J. Cryst Growth。

K.Horiba,K.Ono et al.: "Angle-resolved photoemission Study in the commersulate CDW IT-TaS*"Physica B. (予定). (2000)

K.Horiba、K.Ono 等人：“商业 CDW IT-TaS* 中的角分辨光发射研究”Physica B.（计划）（2000 年）。

呉 他: "The structure of the ultra-thin SiO_2/Si interface studied by Si 2p core-level shift"Phys.Rev.B. (印刷中).

Wu等人：“通过Si 2p核能级位移研究的超薄SiO_2/Si界面的结构”Phys.Rev.B（出版中）。