高角度分解能・高エネルギー分解能角度分解光電子分光を用いた低次元磁性体の研究
高角度分解能・高エネルギー分解能角度分解光電子分光を用いた低次元磁性体の研究
批准号:
11740192
负责人:
小野 寛太
金额:
$1.41万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1999
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1999 至 2000
中文摘要
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
低次元磁性体の作製のために光電子分光装置ヘ分子線エピタキシ装置を接続した。また.立ち上げた装置を用いて主として.MnAs,CrAsなどの強磁性体の超薄膜および磁性ドットの角度分解光電子分光を行った。その結果.GaAs上に成長したCrAsでは.自然界に存在するMnP型の結晶構造とは異なりZinc Blende型の結晶構造をもつことが分かった。また角度分解光電子分光の結果は.第一原理計算の結果と良い一致を示しており.Half-Metallicになっていることが示唆された。また.磁性ドットに関しては.遷移金属の3d電子の局在が強くなっていることが観測された。この他磁性半導体GaMnAs,GaCrAsについても分子線エピタキシーを用いた作製および,角度分解光電子分光による電子状態の研究を行った。
期刊论文(11)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
小野 他: "Performance of the high-resolution high-flux monochromator at the Photon Factory bending magnet beamline BL"Nucl.Inst.Meth.A. (印刷中).
Ono 等人:“Photon Factory 弯曲磁体束线 BL 的高分辨率高通量单色仪的性能”Nucl.Inst.Meth.A(正在印刷中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Ono et al.: "Molecular Beam Epitaxy of MnSb/MnAs multilayess or GaAs"J. Cryst. Growth. 209. 556-560 (2000)
K.Ono 等:“MnSb/MnAs 多层或 GaAs 的分子束外延”J。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Uragami,K.Ono et al.: "The effect of S-and Se-passivation on ・・・"J. Cryst. Growth. 209. 561-565 (2000)
T.Uragami、K.Ono 等人:“S-和 Se-钝化对……的影响”J. Cryst Growth。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
K.Horiba,K.Ono et al.: "Angle-resolved photoemission Study in the commersulate CDW IT-TaS*"Physica B. (予定). (2000)
K.Horiba、K.Ono 等人:“商业 CDW IT-TaS* 中的角分辨光发射研究”Physica B.(计划)(2000 年)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
呉 他: "The structure of the ultra-thin SiO_2/Si interface studied by Si 2p core-level shift"Phys.Rev.B. (印刷中).
Wu等人:“通过Si 2p核能级位移研究的超薄SiO_2/Si界面的结构”Phys.Rev.B(出版中)。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 10 条
化学反応を利用した磁気ナノ構造の創製とその物性
-
批准号:09236204
-
项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
-
资助金额:$1.28万
-
财政年份:1997
-
负责人:小野 寛太
-
依托单位:
海外基金