位相制御高周波バイアス法を利用したプラズマイオン衝撃環境の高度制御

使用相控射频偏置方法对等离子体离子轰击环境进行高级控制

基本信息

  • 批准号:
    11750617
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.54万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    1999
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1999 至 2000
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

位相制御高周波バイアス法を利用した高周波スパッタリングを用いて立方晶窒化硼素(cBN)薄膜合成を行い、位相制御効果とcBN薄膜合成条件の関係を調べた。その結果、位相制御により堆積膜中のcBN量が変化し位相差0度付近で最大になること、プラズマ中のArイオンからの発光強度もcBN量に対応して変化することが明らかとなった。また、質量・エネルギー分析測定では基板へ入射するイオン電流密度、およびイオンエネルギー分布も同様の変化を示し、cBN量が最大になる位相差条件で最大となった。これらのことからcBN量の位相差依存性は、基板への入射イオンの運動量輸送の変化に起因していると考えられる。すなわち、位相制御によるイオン衝撃制御により堆積膜の膜質を制御し得ること、また、本方法がイオンアシスト薄膜堆積の新しい堆積環境制御法として有効であることが明らかとなった。
High frequency phase system initiates バ イ ア ス を using し た high frequency ス パ ッ タ リ ン グ を with い て cubic smothering the boron (cBN) thin film synthesis を い, phase system royal unseen fruit と cBN の membrane synthesis conditions masato is を adjustable べ た. そ の results, phase system of imperial に よ り accumulation in the membrane の が cBN quantity - the し bit 0 degrees difference pay nearly で biggest に な る こ と, プ ラ ズ マ の in Ar イ オ ン か ら の 発 light intensity も cBN quantity に 応 seaborne し て variations change す る こ と が Ming ら か と な っ た. ま た, quality エ ネ ル ギ ー determination で す は substrate へ incidence る イ オ ン current density, お よ び イ オ ン エ ネ ル ギ も ー distribution with others の - the maximum amount が を し, cBN に な る bit differ conditions で biggest と な っ た. こ れ ら の こ と か ら cBN の a difference between dependence は, substrate へ の incident イ オ ン の exercise conveying の variations change に cause し て い る と exam え ら れ る. す な わ ち, phase system of imperial に よ る イ オ ン blunt shock suppression に よ り accumulation membrane の membranous を suppression し have る こ と, ま た, this method が イ オ ン ア シ ス ト membrane accumulation is の new し い depositional environment suppression method と し て have sharper で あ る こ と が Ming ら か と な っ た.

项目成果

期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
津田統: "cBN薄膜"New Diamond. 59. 59-65 (2000)
津田修:《cBN 薄膜》新钻石 59. 59-65 (2000)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Osamu Tsuda: "Effects of phase regulation on ion energy distribution in RF bias sputtering"Plasma Source Science & Technology. 8. 392-396 (1999)
津田修:“射频偏压溅射中相位调节对离子能量分布的影响”Plasma Source Science
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

津田 統其他文献

熱CVD法による深紫外発光性六方晶窒化ホウ素の合成
热CVD法合成深紫外发光六方氮化硼
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    津田 統;渡辺 賢司;谷口 尚
  • 通讯作者:
    谷口 尚
最新電池技術大全-第1編-第2章リチウムイオン2次電池用正極材料の開発動向
最新电池技术百科全书第1部分第2章锂离子二次电池正极材料发展趋势
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡辺 賢司;黒田 隆;谷口 尚;津田 統;神田 久生;Katsuhiko Miyamoto;山田 淳夫
  • 通讯作者:
    山田 淳夫
深紫外発光性六方晶窒化ホウ素の熱CVD合成
热CVD合成深紫外六方氮化硼
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    OSAMU TSUDA;et al.;小池淳一;津田 統
  • 通讯作者:
    津田 統
最新リチウムイオン2次電池-安全性向上及び高機能化に向けた材料開発-第3章オリビン型LiFeP04の特徴と充放電反応機構
最新锂离子二次电池-提高安全性和更高功能性的材料开发-第3章橄榄石型LiFeP04的特性和充放电反应机理
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    谷口 尚;渡辺 賢司;津田 統;窪田 陽一;中山 敦子;山田 淳夫
  • 通讯作者:
    山田 淳夫
Hexagonal BN,cubic BN and AIN synthesis using a metal solvent under high pressures and high temperatures
使用金属溶剂在高压和高温下合成六方BN、立方BN和AIN
  • DOI:
  • 发表时间:
    2007
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    窪田 陽一;渡辺 賢司;津田 統;谷口 尚
  • 通讯作者:
    谷口 尚

津田 統的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('津田 統', 18)}}的其他基金

気相合成立方晶窒化ホウ素薄膜の紫外光伝導特性と紫外光センサー材料への応用
气相合成立方氮化硼薄膜的紫外光电导性能及其在紫外光传感器材料中的应用
  • 批准号:
    08750811
  • 财政年份:
    1996
  • 资助金额:
    $ 1.54万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
STMによるCVDダイヤモンドのin-situ核生成制御
STM 控制 CVD 金刚石的原位成核
  • 批准号:
    06750752
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 1.54万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
位相制御高周波バイアススパッタリング法による立方晶BN薄膜合成
相控高频偏压溅射法合成立方BN薄膜
  • 批准号:
    05750642
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 1.54万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了