位相制御高周波バイアス法を利用したプラズマイオン衝撃環境の高度制御
使用相控射频偏置方法对等离子体离子轰击环境进行高级控制
基本信息
- 批准号:11750617
- 负责人:
- 金额:$ 1.54万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1999
- 资助国家:日本
- 起止时间:1999 至 2000
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
位相制御高周波バイアス法を利用した高周波スパッタリングを用いて立方晶窒化硼素(cBN)薄膜合成を行い、位相制御効果とcBN薄膜合成条件の関係を調べた。その結果、位相制御により堆積膜中のcBN量が変化し位相差0度付近で最大になること、プラズマ中のArイオンからの発光強度もcBN量に対応して変化することが明らかとなった。また、質量・エネルギー分析測定では基板へ入射するイオン電流密度、およびイオンエネルギー分布も同様の変化を示し、cBN量が最大になる位相差条件で最大となった。これらのことからcBN量の位相差依存性は、基板への入射イオンの運動量輸送の変化に起因していると考えられる。すなわち、位相制御によるイオン衝撃制御により堆積膜の膜質を制御し得ること、また、本方法がイオンアシスト薄膜堆積の新しい堆積環境制御法として有効であることが明らかとなった。
High frequency phase system initiates バ イ ア ス を using し た high frequency ス パ ッ タ リ ン グ を with い て cubic smothering the boron (cBN) thin film synthesis を い, phase system royal unseen fruit と cBN の membrane synthesis conditions masato is を adjustable べ た. そ の results, phase system of imperial に よ り accumulation in the membrane の が cBN quantity - the し bit 0 degrees difference pay nearly で biggest に な る こ と, プ ラ ズ マ の in Ar イ オ ン か ら の 発 light intensity も cBN quantity に 応 seaborne し て variations change す る こ と が Ming ら か と な っ た. ま た, quality エ ネ ル ギ ー determination で す は substrate へ incidence る イ オ ン current density, お よ び イ オ ン エ ネ ル ギ も ー distribution with others の - the maximum amount が を し, cBN に な る bit differ conditions で biggest と な っ た. こ れ ら の こ と か ら cBN の a difference between dependence は, substrate へ の incident イ オ ン の exercise conveying の variations change に cause し て い る と exam え ら れ る. す な わ ち, phase system of imperial に よ る イ オ ン blunt shock suppression に よ り accumulation membrane の membranous を suppression し have る こ と, ま た, this method が イ オ ン ア シ ス ト membrane accumulation is の new し い depositional environment suppression method と し て have sharper で あ る こ と が Ming ら か と な っ た.
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
津田統: "cBN薄膜"New Diamond. 59. 59-65 (2000)
津田修:《cBN 薄膜》新钻石 59. 59-65 (2000)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Osamu Tsuda: "Effects of phase regulation on ion energy distribution in RF bias sputtering"Plasma Source Science & Technology. 8. 392-396 (1999)
津田修:“射频偏压溅射中相位调节对离子能量分布的影响”Plasma Source Science
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
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{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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