楔形単結晶の電子線回折強度精密測定による電子非弾性散乱過程の定量的解析

精确测量楔形单晶电子衍射强度定量分析非弹性电子散射过程

• 批准号: 12740234
• 负责人: 西尾 弘司
• 金额: $ 1.28万
• 依托单位: Kyoto Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• 财政年份: 2000
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2000 至 2001
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12740234/
• 关键词: 動力学的電子回折; 複素ポテンシャル; 温度因子; 等厚干渉縞強度

初年度に製作し観察に用いた電子顕微鏡用試料ホルダーの単結晶保持専用試料支持部の改良を行い電子顕微鏡観察時の試料ドリフトの更なる軽減を図った。初年度に実現された電子顕微鏡の光学調整用薄膜組み込み機構と併せて、試料の電子線照射損傷を最小限に抑えた測定が可能となり、良質の測定データを得ることができた。また初年度に導入されたイメージングプレート(IP)システム用イメージバッファーおよび初年度から引き続いての周辺ソフトウェア整備により、IPシステムによる測定効率・解析効率の飛躍的向上が果たされた。このような実験環境の下初年度に引続き、各種単結晶試料の電子線回折像、回折コントラスト像、高分解能像をIPを用いて定量的に測定した。測定には現有の高分解能電子顕微鏡に加え、エネルギーフィルターを備えた高分解能電子顕微鏡も用いた。エネルギーフィルターの使用により、弾性散乱電子、非弾性散乱電子を選択的に結像させることができ、非弾性散乱過程の定量的解析に欠かせない基礎データを得ることができた。こうして得た実験データに画像処理を施し、SiおよびMgOについてはそれぞれ[100]Siおよび[1-10]MgOの定量的電子顕微鏡像強度標準データとしての抽出整備を完了した。続いて実験データの定量的解析により、動力学的回折理論に基づく計算機シミュレーションの妥当性を確認し、さらに、結晶の複素ポテンシャル、Siについてはその温度因子、またMgOについてはそのイオン性を明らかにした。これらの成果を学術雑誌に発表するとともに、抽出整備したデータそのものについても定量的電子顕微鏡像強度標準データとして順次インターネット(http://atomic.dj.kit.ac.jp/〜knishio/)上で公開し、広く国内外から参照可能としている。

The sample holder for electron microscope was improved in the first year of production. The sample holder for electron microscope was improved in the second year of production. In the early years, the thin film assembly for optical adjustment of electron micromirrors was established, and the electron radiation damage of the sample was minimized. In the beginning of the year, the introduction of the system to the Internet (IP) system, the use of the system to the Internet, the introduction of the system to the Internet, the use of the system to the Internet. In the early years of this environment, electron line reflection images, reflection images, and high resolution energy images of various single crystal samples were quantitatively determined. To determine the application of the existing high resolution electron microscope The use of random electrons, random electrons The standard of electron micro-image intensity of Si and MgO is completed. The quantitative analysis of the crystal structure, the validation of the validity of the basic computer system, the crystallization of the crystal structure, the temperature factor of the crystal structure, and the properties of the crystal structure are discussed in detail. The results of this research are published in the academic journal, and the quantitative electron micro-image intensity standard (http://atomic.dj.kit.ac.jp/~knishio/) is available for reference at home and abroad.

项目成果

Koji Nishio: "Quantitative intensity measurement of equal thickness fringes in Si and MgO crystal images with an energy-filtering transmission electron microscope using an imaging plate"Journal of Electron Microscopy. 49. 607-619 (2000)

Koji Nishio：“使用成像板通过能量过滤透射电子显微镜对 Si 和 MgO 晶体图像中等厚条纹进行定量强度测量”电子显微镜杂志。

Koji Nishio, Toshiyuki Isshiki, Makoto Shiojiri: "Quantitative intensity measurement of equal thickness fringes in Si and MgO crystal images with an energy-filtering transmission electron microscope using an imaging plate"Journal of Electron Microscopy. 4

Koji Nishio、Toshiyuki Isshiki、Makoto Shiojiri：“使用成像板通过能量过滤透射电子显微镜对 Si 和 MgO 晶体图像中等厚条纹进行定量强度测量”电子显微镜杂志。