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電流制御素子内蔵マイクロエミッタチップを配置したフィールドエミッタアレイの製作

具有内置电流控制元件的微型发射器芯片的场发射器阵列的制造

基本信息

批准号：
12750306
负责人：
比嘉勝也
金额：
$ 1.47万
依托单位：
Oshima National College of Maritime Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
2000
资助国家：
日本
起止时间：
2000 至 2001
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究で得られた知見を示す。◎フィールドエミッタアレイの製作電界放射動作中のガラス基板上のシリコンエミッタにおいて下記の現象を見いだした。○エミッタ動作における電界放射特性の経時変化。○製作直後のエミッタ先端の微細突起構造の存在および電界放射動作後のその構造の消失。○電界放射動作中のエミッタ破断およびエミッタ先端溶解。電界放射動作中にエミッタ先端部分の溶解変形およびシリコンエミッタの破断が観察された。この現象はエミッタ発熱が原因であり,これによりシリコンエミッタとガラス基板との熱応力差によるエミッタの破壊およびエミッタ先端微細突起構造の蒸発変形による電界放射電流特性変化が生じたと考えられた。電界放射動作中のエミッタアレイの温度測定を試みた。○電界放射動作中のガラス基板温度上昇。○ガラス基板温度による電界放射電流が変化。電界放射動作時のガラス基板温度変化を確認できた。この温度変化はエミッタからの発熱が原因であり,間接的な方法で電界放射動作中のエミッタの発熱現象の存在を示した。エミッタアレイの発熱はエミッタ内を流れ真空へ放出される電流によるジュール熱であると考えられた。また発熱しているエミッタでは,同じ引出し電圧でも電界放射値が増加する現象を観測した。この現象は熱よるエミッタ内の熱的キャリヤ生成が原因であると結論した。これらの検討から熱伝導係数小さいガラス基板上にエミッタを製作した場合,電界放射動作中のエミッタの熱のガラス基板への熱伝導が小さいためにエミッタ自身が高温になり,よってエミッタの変形,破断,電界放射特性変化が発生すると結論した。本研究によりエミッタ発熱の電界放射電流特性への影響およびエミッタ-ガラス基板接合への影響を明らかにした。本研究によってガラス基板などの熱伝導率が小さい基板を真空マイクロ素子に使用する場合,"エミッタからの発熱"が重要な要素となることを示した。

This study was conducted to demonstrate the knowledge gained. The phenomenon of "○ Time variation of electric field emission characteristics during operation.○ The existence of fine protruding structures after the production of straight edges and the disappearance of structures after the electric field radiation action.○ Electric field radiation action in the In the electric field radiation action, the tip part of the solution changes shape and breaks the detection. This phenomenon is caused by the thermal stress difference between the substrate and the electrode. The temperature measurement in the electric field radiation operation is attempted.○ The substrate temperature rises during the electric field radiation operation.○ The substrate temperature changes and the electric field radiation current changes. Confirm the temperature change of the substrate during the electric field emission operation. This temperature change is caused by heat dissipation, and indirect methods are used to show the existence of heat dissipation phenomenon in the electric field radiation action. The heat is released from the vacuum. The phenomenon of increased emission of electricity due to heat transfer is also detected. This phenomenon is caused by heat. The thermal conductivity coefficient of the substrate is small, the thermal conductivity coefficient of the substrate is small, and the thermal conductivity coefficient of the substrate is small. This study is aimed at clarifying the influence of heat radiation on the characteristics of electrical field radiation current and substrate bonding. In this study, the thermal conductivity of the substrate is small. When the substrate is used in vacuum, the "thermal conductivity" is an important factor.