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押す・引っ張る・ねじ曲げる「力」によるナノ=ファブリケーション

使用推、拉和扭曲的“力”进行纳米制造

基本信息

批准号：
16654047
负责人：
宇治原徹
金额：
$ 2.18万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

本研究の最終目的は、「メカニカルナノファブリケーション」というナノ量子構造形成における新しいパラダイムの確立にある。その第一歩として、主にSi結晶を用いて、あらゆる歪み印加方法(圧縮・引っ張り・異方性曲げ)で歪みを材料に印加しながら、エッチングや短時間アニーリングを施すことで、歪み緩和を起こさせ、それによる結晶表面におけるナノ構造形成を確認することを目的とした。その結果、次の知見を得ることができた。・本研究により、歪みを印加しながら熱処理を行なう装置の開発を行った。本装置は真空環境、もしくは不活性ガス環境下で、最高1000℃の熱処理が可能となっている。本装置を用いてSi基板への歪み印加実験を行ったところ、500℃の温度でもSiの変形が見られた。この温度は、通常Siの延性脆性転移温度と考えられている1100℃よりもはるかに低い温度であるにもかかわらず、脆性破壊起こすことなく変形した。また、その表面においてAFM観察を行ったところ、ナノオーダーの歪みによる縞構造を確認した。当初は、この構造における周期性の特徴を明らかにする予定であったが、残念ながら、周期に関する特徴を見出すには至らなかった。・テフロン製の歪み印加装置を開発し、歪み環境下でのエッチングを実施した。エッチャントにはフッ酸とフッ酸・硝酸の混合液を用いた。その結果、フッ酸・硝酸の混合液の場合は、歪みをかけることで溶解が促進されることが確認された。しかし、表面周期の観察までには至らなかった。

The ultimate goal of this study is to establish a new quantum structure in the formation of quantum structures. In the first step, the main Si crystal is used in the process, and the main Si crystal is used in the process (compression, expansion and anisotropy). The main Si crystal is used in the process of deformation, deformation and short-term deformation. The result of the game, the second time to see the game. In this research, the development of heat treatment equipment is carried out. This device can be heat treated under vacuum environment, inactive environment and maximum temperature of 1000℃. The device uses silicon substrate and silicon substrate. This temperature is usually due to the brittle transition temperature of Si, which is 1100℃. The surface of the film was examined by AFM and the structure was confirmed. The periodic characteristics of the original structure are as follows: The development and implementation of intelligent devices in remote environments A mixture of citric acid and nitric acid is used. The results show that the mixed solution of citric acid and nitric acid can be dissolved and promoted. The surface cycle is observed.