高温融液中における拡散係数のその場測定法
高温融液中における拡散係数のその場測定法
批准号:
12750005
负责人:
宇治原 徹
金额:
$0.38万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
2000
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2000 至 2001
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高温金属・半導体溶液中の拡散係数は、あらゆる液相プロセスにおいて重要である。しかし、密度対流や融液冷却・凝固時における組成分布の擾乱等の問題があり、その測定は非常に困難であった。本研究の目的は、「蛍光X線を用いた高温融液中の組成分布その場測定技術」を開発し、冷却を伴わない新しい高精度拡散係数測定法を確立することにあった。本研究では、次の3つを行った。(1)最初に、蛍光X線により坩堝中にある溶液組成測定法の確立を行った。本手法では、X線を透過する材料で試料ホルダーを作製することで、容器内の組成分析を可能にした。精度・有用性の確認のため、実際に、本手法を用いてGa融液中の平衡Zn組成のその場測定を行い、GaZn二元状態図の液相線と比較した。その結果、状態図の液相線をよく再現することに成功した。(2)次に、Fickの第一法則に基づく新しい相互拡散係数測定法の確立した。従来法では、拡散対の実験より得た組成分布をFickの第二法則で解析し求められたが、本手法では拡散実験中にある位置の組成変化を、先に確立したその場測定法で測定することで、拡散流束を実測し、Fickの第一法則を用いて拡散係数を求める。この方法では固化過程が必要ないため、従来法で問題となった凝固時の組成分布の擾乱の影響がなく、高精度測定が期待できる。本研究では、本手法をGaZn系、GaGe系に適用し拡散係数測定を行った。(3)さらに、先のその場測定法を用いて、溶液組成を走査することで溶液内の組成分布その場測定法を確立した。本手法を用いて、対流抑制セル内でGaZn溶液へのZnの溶解過程、また溶液からの析出過程における溶液内の組成分布の時間変化の測定を行った。その結果、拡散により組成分布が変化し、定常状態へ達する過程の測定に成功した。また、温度分布その場測定と組み合わせ、溶解・析出過程における過飽和測定にも成功した。
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T.Ujihara, G.Sazaki, S.Miyashita, N.Usami, K.Nakajima: "In Situ Measurement of Composition in High-Temperature Solutions by X-Ray Fluorescence Spectrometry"Japanese Journal of Applied Physics. 39. 5981-5982 (2000)
T.Ujihara、G.Sazaki、S.Miyashita、N.Usami、K.Nakajima:“通过 X 射线荧光光谱法原位测量高温溶液中的成分”日本应用物理学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
G.Sazaki, Y.Azuma, S.Miyashita, N.Usami, T.Ujihara et al.: "In-situ monitoring system of the position and temperature at the crystal-solution interface"Journal of Crystal Growth. (In press). (2002)
G.Sazaki、Y.Azuma、S.Miyashita、N.Usami、T.Ujihara 等:“晶体-溶液界面位置和温度的原位监测系统”晶体生长杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Y.Azuma,N.Usami,T.Ujihara et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"Journal of Crystal Growth. (In press). (2001)
Y.Azuma、N.Usami、T.Ujihara 等人:“通过使用原位监控系统直接控制晶体-熔体界面的生长温度,生长具有均匀成分的 SiGe 块状晶体”《晶体生长杂志》。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
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作者:
[]
通讯作者:
Y.Azuma, N.Usami, T.Ujihara et al.: "Growth of SiGe bulk crystal with uniform composition by directly controlling the growth temperature at the crystal-melt interface using in-situ monitoring system"Journal of Crystal Growth. 224. 204-211 (2001)
Y.Azuma、N.Usami、T.Ujihara 等人:“通过使用原位监控系统直接控制晶体-熔体界面的生长温度,生长具有均匀成分的 SiGe 块状晶体”《晶体生长杂志》。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
T.Ujihara,G.Sazaki,S.Miyashita,N.Usami,K.Nakajima: "In Situ Measurement of Composition in High-Temperature Solutions by X-Ray Fluorescence Spectrometry"Japanese journal of applied physics. 39. 5981-5982 (2000)
T.Ujihara、G.Sazaki、S.Miyashita、N.Usami、K.Nakajima:“通过 X 射线荧光光谱法对高温溶液中的成分进行原位测量”日本应用物理学杂志。
DOI:
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发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
Variable Thermal Conduction Devices by Intercalation into Oxide Materials
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批准号:22K18985
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$4.16万
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财政年份:2022
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
Complex crystal growth modeling and process design in latent space
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批准号:22H00300
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$27.29万
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财政年份:2022
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
材料工学的アプローチによる人工生体膜ラフト構造の再現
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批准号:20056012
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.33万
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财政年份:2008
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
発光デバイスを用いた膜タンパク質アクティブ輸送制御
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批准号:20656003
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2008
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
人工生体膜におけるラフト構造膜内輸送制御システムの提案
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批准号:18059013
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.46万
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财政年份:2006
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
半導体デバイスを利用した生体膜相分離構造のアクティブ制御
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批准号:18656007
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.24万
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财政年份:2006
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
押す・引っ張る・ねじ曲げる「力」によるナノ=ファブリケーション
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批准号:16654047
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.18万
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财政年份:2004
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
歪みを内在したバンドギャップ分散半導体複合結晶の創製
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批准号:14702017
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项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
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资助金额:$18.8万
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财政年份:2002
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
合金の相分離現象に伴うパターン形成とその非線形性
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批准号:97J03038
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项目类别:Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1998
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负责人:宇治原 徹
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依托单位:
国内基金
海外基金
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生物成因铁矿物在重金属溶液中的陈化、物相变化及其环境意义
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批准号:
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项目类别:省市级项目
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资助金额:--
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批准年份:2019
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负责人:
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依托单位:
辐照对氧化物弥散强化钢在铅铋金属溶液中的腐蚀行为影响
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批准号:11805293
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:25.0万元
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批准年份:2018
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负责人:王媛
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依托单位:
电化学强极化贵金属过程中纳米功能材料的形成及金属/溶液界面的物理化学行为研究
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批准号:21003045
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项目类别:青年科学基金项目
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资助金额:19.0万元
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批准年份:2010
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负责人:黄炜
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依托单位:
金属/溶液界面纳米尺度下缓蚀膜的力学-电化学行为及机理研究
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批准号:50471062
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项目类别:面上项目
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资助金额:26.0万元
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批准年份:2004
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负责人:郭兴蓬
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依托单位: