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選択的表面改質を応用したアミノ基およびカルボキシル基含有フッ素ポリマー表面の作成

使用选择性表面改性创建含有氨基和羧基的含氟聚合物表面

基本信息

批准号：
16655093
负责人：
稲垣訓宏
金额：
$ 2.3万
依托单位：
Shizuoka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2004
资助国家：
日本
起止时间：
2004 至 2005
项目状态：
已结题

项目摘要

CF_2-CF_2とCH_2-CH_2単位の繰り返しから成るテトラフルオロエチレン-エチレン交互共重合体(ETFE)の中のCH_2-CH_2単位を選択的に攻撃し、カルボキシル基に置換する選択的プラズマ表面改質法の開発を目指した。カルボキシル基を生成する可能性のあるプラズマとして、CO_2プラズマおよびO_2プラズマを選び、ETFE表面にこれらのプラズマを照射し、その表面に生成したカルボキシル基濃度をXPS測定より求めた。これらのプラズマを照射したETFE試料表面のXPS(C1s)スペクトルは、2つのピークを持った幅広く広がっている。そのC1sスペクトルを6成分に分割できるが、そのうち290.7-291.3eVにピークを持つ分割成分は、結合エネルギー値よりカルボキシル基と帰属した。その相対濃度は、CO_2プラズマ照射ETFE試料で9%、O_2プラズマ照射ETFE試料で6%であった。したがって、カルボキシル基への選択的プラズマ処理には、CO_2プラズマが適していると結論した。ETFEフィルム表面に生成したカルボキシル基はNa塩にイオン交換した試料から求めたが、そのカルボキシル基量は、1.40-1.50number/100carbonsであった。CO_2プラズマ照射しても、ETFE表面に対する接触角はほとんど変化がなく、脱フッ素化反応が低いことを示している。以上のように、ETFE表面にCO_2プラズマを照射することで、カルボキシル基生成が可能となったこと。このカルボキシル基生成は、ETFE分子鎖の中のCH_2-CH_2単位に優先して起こること、が結論できる。

The CF_2-CF_2 CH_2-CH_2 location returns the target target of the selection of the Ch _ 2-CH_2 location in the ETFE. The target surface modification method of the selected system is used. The possibility is that the possibility is different, that the CO_2 is sensitive, that the CO_2 is selected, that the ETFE surface is irradiated, that the surface is generated, that the XPS measurement is based, and that the parameters are calculated. The surface of the ETFE material is XPS (C1s) and the surface of the material is XPS (C1s), and the width of the material is 2. The components of C1s are divided into six parts, and the components are divided into two parts, one of which is 290.7-291.3eV, the other is divided into two parts. The phase temperature is different, the temperature of CO_2 is 9%, the temperature of ETFE is 9%, and that of ETFE is 6%. This is the first time that you have selected the basic information system, and that you have selected the information management system, and that you have selected the CO_2 information system. The surface of the ETFE generates a base Na that interacts with the material, which requires a base quantity of 1.50number/100carbons. CO_2, contact angle, contact angle, denaturalization, denitrification, low temperature, low temperature, low temperature, Above, the ETFE surface may be irradiated by CO_2 radiation, and the base may be irradiated. In the case of gene generation, the Ch _ 2-CH_2 position in the ETFE molecule will first be activated, and the results will be affected.