X線共鳴磁気小角散乱による誘起磁気アイランド構造の解明
X線共鳴磁気小角散乱による誘起磁気アイランド構造の解明
批准号:
16656195
负责人:
奥田 浩司
金额:
$2.18万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2006
中文摘要
本年度はテンプレート材料としての強磁性ナノドット組織の発展過程の時間発展過程の評価とともに、それを定量化するための要素技術として必要な、寄生散乱強度低減のための全真空専用GIAXS測定システム構築とその評価、ならびに強度規格化手法としての反射率/GISAXS同時測定法の検討を進めた。Fe基合金のナノドット形態変態過程の評価については、約0.4Tの磁場中でのその場加熱の可能なIn-situGISAXSチャンバを作成し、強磁性ナノドットの自己形成過程の実時間観察を試みた。テンプレートであるFe-Pt, Fe-Pd系合金においては規則不規則変態温度は熱力学的に組成に敏感であることが予想されるため、RBSにより厚さ2ナノメートル程度の初期膜厚の金属の組成分析を行なったのちIn-situ測定をおこなった。ほぼ一様な薄膜からの磁性ナノドットの形成過程において、面内サイズの増加と面直方向のサイズの増加はほぼ同時に進行しており、その動力学としては初期核密度が保存される特性波長をもつ組織形成とはことなる成長様式であることが明らかとなった。詳細に見ると面直方向のサイズの増加はやや遅れるが、ほぼ同時期に飽和にいたり、その後は間接的な粗大化となるため変化は極端に遅くなった。一方、このような構造について定量データを取得するための全真空GISAXSを、専用チャンバーを作成してSPring8のBL13XUの空きハッチに搬入し、予備測定実験を試みた。試料としてはナノドット構造としてはほぼ完全に近い基板、キャップ層構造を前提とできるSi基板上のGeナノドットを標準分室として用いた。全真空化により、GISAXS特有の問題である寄生散乱除去が原理的に不可能である点については大幅な改善が見られることが明らかとなったものの、絶対値化の高精度化に必要な強度標準のとり方について、まだ試料電場強度の校正手段となる反射率との十分な精度での対応に課題があることが明らかとなった。
英文摘要
本年度はテンプレート材料としての強磁性ナノドット組織の発展過程の時間発展過程の評価とともに、それを定量化するための要素技術として必要な、寄生散乱強度低減のための全真空専用GIAXS測定システム構築とその評価、ならびに強度規格化手法としての反射率/GISAXS同時測定法の検討を進めた。Fe基合金のナノドット形態変態過程の評価については、約0.4Tの磁場中でのその場加熱の可能なIn-situGISAXSチャンバを作成し、強磁性ナノドットの自己形成過程の実時間観察を試みた。テンプレートであるFe-Pt, Fe-Pd系合金においては規則不規則変態温度は熱力学的に組成に敏感であることが予想されるため、RBSにより厚さ2ナノメートル程度の初期膜厚の金属の組成分析を行なったのちIn-situ測定をおこなった。ほぼ一様な薄膜からの磁性ナノドットの形成過程において、面内サイズの増加と面直方向のサイズの増加はほぼ同時に進行しており、その動力学としては初期核密度が保存される特性波長をもつ組織形成とはことなる成長様式であることが明らかとなった。詳細に見ると面直方向のサイズの増加はやや遅れるが、ほぼ同時期に飽和にいたり、その後は間接的な粗大化となるため変化は極端に遅くなった。一方、このような構造について定量データを取得するための全真空GISAXSを、専用チャンバーを作成してSPring8のBL13XUの空きハッチに搬入し、予備測定実験を試みた。試料としてはナノドット構造としてはほぼ完全に近い基板、キャップ層構造を前提とできるSi基板上のGeナノドットを標準分室として用いた。全真空化により、GISAXS特有の問題である寄生散乱除去が原理的に不可能である点については大幅な改善が見られることが明らかとなったものの、絶対値化の高精度化に必要な強度標準のとり方について、まだ試料電場強度の校正手段となる反射率との十分な精度での対応に課題があることが明らかとなった。
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DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
Mater. Sci. Forum 457-479
影响因子:
--
作者:
[S.Ochiai, T.Tomida, T.Nakamura, S.Iwamoto, H.Okuda, M.Tanaka, M.Hojo]
通讯作者:
M.Hojo
金属・半導体材料の小角散乱実験 : 異常小角散乱とGI-SAXS
金属和半导体材料的小角散射实验:反常小角散射和 GI-SAXS
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
放射光 19
影响因子:
--
作者:
[奥田浩司, 大高幹雄, 落合庄治郎]
通讯作者:
落合庄治郎
Microstructure analysis of Ge nanodots by grazing-incidence SAXS and diffuse scattering around a Bragg peak'
通过掠入射 SAXS 和布拉格峰周围的漫散射对 Ge 纳米点进行微观结构分析
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
KEK Proceedings 2004-5
影响因子:
--
作者:
[H.Okuda, T.Ogawa, H.Niwa, S.Ochiai]
通讯作者:
S.Ochiai
In-situ GI-SAXS on the Self-organization Processes of Fe-based Thin Films'
原位 GI-SAXS 研究铁基薄膜的自组织过程
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
KEK proceedings Mar-06
影响因子:
--
作者:
[H.Okuda, M.Ohtaka, Y.Sakai, K.Kuno, S.Ochiai, T.Ichitsubo]
通讯作者:
T.Ichitsubo
X線反射率測定装置およびX線反射率測定方法
X射线反射率测量装置及X射线反射率测量方法
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
共 8 条
韓国における〈日本語経験〉の戦後史―〈記憶〉の継承と断絶をめぐって―
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批准号:24K03676
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.83万
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财政年份:2024
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负责人:奥田 浩司
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依托单位:
Hierarchical structure analysis of light metals by simultaneous scattering/spectroscopy measurements
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批准号:22K18886
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额:$3.99万
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财政年份:2022
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负责人:奥田 浩司
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依托单位:
金属ガラスのナノ組織化過程の小・中角散乱法による解明
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批准号:15074210
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$18.88万
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财政年份:2003
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负责人:奥田 浩司
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依托单位:
定常的な外場負荷環境での組織形成過程の放射光によるその場観察
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批准号:09750731
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:奥田 浩司
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依托单位:
X線散漫散乱測定によるAl-Li系規則合金の相分解初期過程に関する研究
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批准号:04750639
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:奥田 浩司
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依托单位:
X線散漫散乱測定によるAl-Li系規則合金の熱的安定性に関する研究
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批准号:03750557
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1991
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负责人:奥田 浩司
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依托单位:
国内基金
海外基金
基于GISAXS/GIWAXS联用技术原位研究有机太阳能电池形貌演变的剪切效应
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批准号:U1932118
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项目类别:联合基金项目
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资助金额:56.0万元
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批准年份:2019
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负责人:杨春明
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依托单位: