X線共鳴磁気小角散乱による誘起磁気アイランド構造の解明

X射线共振磁小角散射阐明感应磁岛结构

• 批准号: 16656195
• 负责人: 奥田 浩司
• 金额: $ 2.18万
• 依托单位: Kyoto University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Exploratory Research
• 财政年份: 2004
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2004 至 2006
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16656195/
• 关键词: 自己組織化ナノドット; GISAXS; 共鳴散乱; FePt; GI-SAXS; ナノドット; Ge; Si; 放射光; 埋もれた界面; 反射率; 異常散乱

本年度はテンプレート材料としての強磁性ナノドット組織の発展過程の時間発展過程の評価とともに、それを定量化するための要素技術として必要な、寄生散乱強度低減のための全真空専用GIAXS測定システム構築とその評価、ならびに強度規格化手法としての反射率/GISAXS同時測定法の検討を進めた。Fe基合金のナノドット形態変態過程の評価については、約0.4Tの磁場中でのその場加熱の可能なIn-situGISAXSチャンバを作成し、強磁性ナノドットの自己形成過程の実時間観察を試みた。テンプレートであるFe-Pt, Fe-Pd系合金においては規則不規則変態温度は熱力学的に組成に敏感であることが予想されるため、RBSにより厚さ2ナノメートル程度の初期膜厚の金属の組成分析を行なったのちIn-situ測定をおこなった。ほぼ一様な薄膜からの磁性ナノドットの形成過程において、面内サイズの増加と面直方向のサイズの増加はほぼ同時に進行しており、その動力学としては初期核密度が保存される特性波長をもつ組織形成とはことなる成長様式であることが明らかとなった。詳細に見ると面直方向のサイズの増加はやや遅れるが、ほぼ同時期に飽和にいたり、その後は間接的な粗大化となるため変化は極端に遅くなった。一方、このような構造について定量データを取得するための全真空GISAXSを、専用チャンバーを作成してSPring8のBL13XUの空きハッチに搬入し、予備測定実験を試みた。試料としてはナノドット構造としてはほぼ完全に近い基板、キャップ層構造を前提とできるSi基板上のGeナノドットを標準分室として用いた。全真空化により、GISAXS特有の問題である寄生散乱除去が原理的に不可能である点については大幅な改善が見られることが明らかとなったものの、絶対値化の高精度化に必要な強度標準のとり方について、まだ試料電場強度の校正手段となる反射率との十分な精度での対応に課題があることが明らかとなった。

This year's はテンプレートmaterial and としてのstrong magnetic ナノドット organization's development process and time 発Evaluation process of development, quantification of development process, essential technology of quantification, parasitic powder We use GIAXS measurement method to measure the strength of the whole vacuum system, and use the GIAXS measurement method to standardize the strength and normalize the strength. Comments on the morphological transformation process of Fe-based alloys, and the possibility of field heating in a magnetic field of about 0.4T I n-situGISAXS is made of strong magnetic materials, and the formation process of strong magnetic materials is time-checked and tested.テンプレートであるFe-Pt, Fe-Pd based alloy, regular, irregular state temperature, thermodynamic composition, sensitive material, RBSによりThicknessさ2ナノメートル DegreeのInitial Film ThicknessのMetal Composition Analysisを行なったのちIn-situ Measurementをおこなった.ほぼ一様な thin film からのMagnetic ナノドットの formation process において, surface内サイズのincreasing and とfacing straight direction のサイズのincreasing and adding はほぼsimultaneously しており、そのkineticsとしてはInitial nuclear densityがpreservationされるCharacteristic wavelengthをもつOrganization formation and growth 様style であることが明らかとなった. Detailed に见るとface straight direction のサイズのincrease plus はやや遅れるが、ほぼsynchronous にsaturatedにいたり, その后は indirect な coarsening and となるため剉化は extreme に遅くなった. One side, このようなstructural についてquantitative データをacquisition するためのfull vacuum GISAXSを, exclusive use チャンしてSPring8のBL13XUのemptyきハッチにImported and prepared for testingみ験をtest. The structure of the sample is a complete base plate and a layered structure. The prerequisite for manufacturing is the use of standard chambers based on Si substrates. The principle of full vacuumization and the elimination of parasitic scatter, which is a problem unique to GISAXS, is not possible. It can be improved greatly by the point of improvement, and it can be greatly improved. It is necessary to improve the accuracy of the value and to calibrate the electric field strength of the sample using the strength standard. Means となる reflectivity との十な precision での対応に Subject があることが明らかとなった.

项目成果

Fracture Behavior of Brittle Coating Layer on Metal Substrate

金属基体脆性涂层的断裂行为

• 发表时间: 2005
• 期刊: Mater. Sci. Forum 457-479
• 作者: S.Ochiai;T.Tomida;T.Nakamura;S.Iwamoto;H.Okuda;M.Tanaka;M.Hojo
• 通讯作者: M.Hojo

金属・半導体材料の小角散乱実験 : 異常小角散乱とGI-SAXS

金属和半导体材料的小角散射实验：反常小角散射和 GI-SAXS

• 发表时间: 2006
• 期刊: 放射光 19
• 作者: 奥田浩司;大高幹雄;落合庄治郎
• 通讯作者: 落合庄治郎

Microstructure analysis of Ge nanodots by grazing-incidence SAXS and diffuse scattering around a Bragg peak'

通过掠入射 SAXS 和布拉格峰周围的漫散射对 Ge 纳米点进行微观结构分析

• 发表时间: 2004
• 期刊: KEK Proceedings 2004-5
• 作者: H.Okuda;T.Ogawa;H.Niwa;S.Ochiai
• 通讯作者: S.Ochiai

In-situ GI-SAXS on the Self-organization Processes of Fe-based Thin Films'

原位 GI-SAXS 研究铁基薄膜的自组织过程

• 发表时间: 2006
• 期刊: KEK proceedings Mar-06
• 作者: H.Okuda;M.Ohtaka;Y.Sakai;K.Kuno;S.Ochiai;T.Ichitsubo
• 通讯作者: T.Ichitsubo

X線反射率測定装置およびX線反射率測定方法

X射线反射率测量装置及X射线反射率测量方法

• 发表时间: 2005