X線共鳴磁気小角散乱による誘起磁気アイランド構造の解明

X射线共振磁小角散射阐明感应磁岛结构

基本信息

  • 批准号:
    16656195
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.18万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    2004
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2004 至 2006
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度はテンプレート材料としての強磁性ナノドット組織の発展過程の時間発展過程の評価とともに、それを定量化するための要素技術として必要な、寄生散乱強度低減のための全真空専用GIAXS測定システム構築とその評価、ならびに強度規格化手法としての反射率/GISAXS同時測定法の検討を進めた。Fe基合金のナノドット形態変態過程の評価については、約0.4Tの磁場中でのその場加熱の可能なIn-situGISAXSチャンバを作成し、強磁性ナノドットの自己形成過程の実時間観察を試みた。テンプレートであるFe-Pt, Fe-Pd系合金においては規則不規則変態温度は熱力学的に組成に敏感であることが予想されるため、RBSにより厚さ2ナノメートル程度の初期膜厚の金属の組成分析を行なったのちIn-situ測定をおこなった。ほぼ一様な薄膜からの磁性ナノドットの形成過程において、面内サイズの増加と面直方向のサイズの増加はほぼ同時に進行しており、その動力学としては初期核密度が保存される特性波長をもつ組織形成とはことなる成長様式であることが明らかとなった。詳細に見ると面直方向のサイズの増加はやや遅れるが、ほぼ同時期に飽和にいたり、その後は間接的な粗大化となるため変化は極端に遅くなった。一方、このような構造について定量データを取得するための全真空GISAXSを、専用チャンバーを作成してSPring8のBL13XUの空きハッチに搬入し、予備測定実験を試みた。試料としてはナノドット構造としてはほぼ完全に近い基板、キャップ層構造を前提とできるSi基板上のGeナノドットを標準分室として用いた。全真空化により、GISAXS特有の問題である寄生散乱除去が原理的に不可能である点については大幅な改善が見られることが明らかとなったものの、絶対値化の高精度化に必要な強度標準のとり方について、まだ試料電場強度の校正手段となる反射率との十分な精度での対応に課題があることが明らかとなった。
今年,我们评估了铁电磁纳米型结构作为模板材料的时间开发过程,还研究了GIAXS测量系统的构建和评估,专门用于完全真空,以减少寄生散射强度,这是降低寄生散射强度的,这是对它们的基本技术的量化方法,以及对反射率的评估方法,以及ASGISAXS的方法。关于对基于Fe的合金的Nanodot形态转化过程的评估,创建了一个在大约0.4T的磁场中能够在磁场中加热的原位GISAXS腔室,并尝试了对铁磁性纳米模型的自我形成过程的实时观察。在模板Fe-PT和Fe-PD合金中,预计有序的不规则转化温度在热力学上对组成敏感,因此在使用RBS分析具有约2纳米初始膜厚度的金属的组成后,进行了约2纳米仪,则进行原位测量。在来自几乎均匀薄膜的磁性纳米模块的形成过程中,平面尺寸的增加以及垂直于平面的大小的增加几乎同时进行,并且已经揭示了这些方法的动力学不同于组织形成的生长模式,这具有在哪些初始核密度的特征性波长。查看细节,沿飞机方向的大小增加略有延迟,但是在同一时间饱和,然后间接地变形,因此变化变得非常慢。另一方面,创建了用于创建专用室并运输到Spring8的BL13XU的空舱口中的总真空Gisaxs,并尝试了初步测量实验。作为样品,几乎完全接近纳米结构的基板,以及可以假设可以假定盖层结构的Si底物上的GE纳米材料作为标准分支。尽管已经揭示了总吸尘器在原则上不可能的寄生散射(Gisaxs独有的问题(这是GISAXS所特有的问题)都有显着改善,但已经显示,在反射率上应对足够准确的反射率,这仍然是一个挑战,这是校准样品电场强度强度的手段。

项目成果

期刊论文数量(16)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Fracture Behavior of Brittle Coating Layer on Metal Substrate
金属基体脆性涂层的断裂行为
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S.Ochiai;T.Tomida;T.Nakamura;S.Iwamoto;H.Okuda;M.Tanaka;M.Hojo
  • 通讯作者:
    M.Hojo
金属・半導体材料の小角散乱実験 : 異常小角散乱とGI-SAXS
金属和半导体材料的小角散射实验:反常小角散射和 GI-SAXS
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    奥田浩司;大高幹雄;落合庄治郎
  • 通讯作者:
    落合庄治郎
Microstructure analysis of Ge nanodots by grazing-incidence SAXS and diffuse scattering around a Bragg peak'
通过掠入射 SAXS 和布拉格峰周围的漫散射对 Ge 纳米点进行微观结构分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Okuda;T.Ogawa;H.Niwa;S.Ochiai
  • 通讯作者:
    S.Ochiai
X線反射率測定装置およびX線反射率測定方法
X射线反射率测量装置及X射线反射率测量方法
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
In-situ GI-SAXS on the Self-organization Processes of Fe-based Thin Films'
原位 GI-SAXS 研究铁基薄膜的自组织过程
  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    H.Okuda;M.Ohtaka;Y.Sakai;K.Kuno;S.Ochiai;T.Ichitsubo
  • 通讯作者:
    T.Ichitsubo
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    奥田浩司;團野光晴;金希貞;奥田浩司;團野光晴;金希貞;奥田浩司;奥田浩司;團野光晴;奥田 浩司;團野 光晴;柳利須;飯塚恵理人(単著);ウィリアム・ペトルシャック・飯塚恵理人(共著);飯塚恵理人(単著);ウィリアム・ペトルシャック・飯塚恵理人(共著);飯塚恵理人(単著);飯塚恵理人(単著);飯塚恵理人(単著);ウィリアム・ペトルシャック・飯塚恵理人(共著);飯塚恵理人(単著)
  • 通讯作者:
    飯塚恵理人(単著)

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知道了