宇宙再突入飛翔体用セラミックコーティングの損耗量検知センサーの開発研究
宇宙再突入飛翔体用セラミックコーティングの損耗量検知センサーの開発研究
批准号:
16656267
负责人:
八田 博志
金额:
$1.92万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
中文摘要
宇宙往還機やカプセルなどの宇宙飛翔体の一部は、宇宙からの再突入時には短時間ではあるが一万度以上のプラズマ環境に曝される。特に先端部や翼前縁部では1500℃以上の高温になるため、このような部位にはC/C複合材料が使われ、耐酸化性を向上させるためにC/C複合材料の表面にはSiC等のコーティングが施されている。コーティングは、通常の条件であれば酸化に対して安定な材料であるが、再突入の過酷な環境下では次第に損耗することが知られている。今後宇宙飛翔体にも長期の信頼性が要求されるようになることは明らかであり、そのときにはコーティングの損耗速度が明らかになっている必要がでてくる。本研究では、再突入飛翔体に搭載し、コーティング(SiC)の損耗速度をReal Timeに測定できるセンサーの開発を目的としている。センサーとしては、サブミクロン厚さのSiCと炭素の薄膜を交互に積層したものを考案した。このSiC部はコーティングと同質で、SiC膜が損耗すると炭素膜が直ぐに消失し、並列に並んだ炭素薄膜の電気抵抗変化からSiC部の損耗速度を計測しようとするものである。本研究では、センサーに関する検討を行い、以下の結果を得た。1.アーク風洞による通風実験により、再突入の短時間にSiC膜が数層損耗することを狙って多層薄膜の厚さを検討し、地球低軌道からの再突入に対してはサブミクロンの厚さの多層膜が適当と判断した。2.リード線をPtとし電極を炭素で構成して高温におけるSiC/C多層膜の電気抵抗測定を実施し、1500℃までの温度域で安定な電極が炭素によって形成でき、電気抵抗の測定が可能であることを示した。3.スパッタリングで各層がサブミクロンの厚さの多層膜を試作し、1500℃における多層膜の安定を検討した結果、安定性な多層膜を得るためには、更に工夫が必要なことが明らかになった。
英文摘要
宇宙往還機やカプセルなどの宇宙飛翔体の一部は、宇宙からの再突入時には短時間ではあるが一万度以上のプラズマ環境に曝される。特に先端部や翼前縁部では1500℃以上の高温になるため、このような部位にはC/C複合材料が使われ、耐酸化性を向上させるためにC/C複合材料の表面にはSiC等のコーティングが施されている。コーティングは、通常の条件であれば酸化に対して安定な材料であるが、再突入の過酷な環境下では次第に損耗することが知られている。今後宇宙飛翔体にも長期の信頼性が要求されるようになることは明らかであり、そのときにはコーティングの損耗速度が明らかになっている必要がでてくる。本研究では、再突入飛翔体に搭載し、コーティング(SiC)の損耗速度をReal Timeに測定できるセンサーの開発を目的としている。センサーとしては、サブミクロン厚さのSiCと炭素の薄膜を交互に積層したものを考案した。このSiC部はコーティングと同質で、SiC膜が損耗すると炭素膜が直ぐに消失し、並列に並んだ炭素薄膜の電気抵抗変化からSiC部の損耗速度を計測しようとするものである。本研究では、センサーに関する検討を行い、以下の結果を得た。1.アーク風洞による通風実験により、再突入の短時間にSiC膜が数層損耗することを狙って多層薄膜の厚さを検討し、地球低軌道からの再突入に対してはサブミクロンの厚さの多層膜が適当と判断した。2.リード線をPtとし電極を炭素で構成して高温におけるSiC/C多層膜の電気抵抗測定を実施し、1500℃までの温度域で安定な電極が炭素によって形成でき、電気抵抗の測定が可能であることを示した。3.スパッタリングで各層がサブミクロンの厚さの多層膜を試作し、1500℃における多層膜の安定を検討した結果、安定性な多層膜を得るためには、更に工夫が必要なことが明らかになった。
期刊论文(2)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
SiC/C多層薄膜センサの開発
SiC/C多层薄膜传感器的开发
DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
第12回 機械材料・材料加工技術講演論文集 12
影响因子:
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作者:
[川島文華, 八田博志, 塩田一路]
通讯作者:
塩田一路
SiC/C多層薄膜による再突入時のSiCコーティング損耗速度計測
使用 SiC/C 多层薄膜测量再入过程中 SiC 涂层磨损率
DOI:
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发表时间:
2005
期刊:
高温学会誌 31・5
影响因子:
--
作者:
[八田博志, 川島文華, 小山昌志, 大北紘士, 塩田一路]
通讯作者:
塩田一路
C/C複合材料の耐酸化SiC/C多層コーティングシステムの開発
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批准号:11124245
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1999
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负责人:八田 博志
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依托单位:
ボイド混入法による複合材料の熱膨張率制御に関する研究
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批准号:05650662
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1993
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负责人:八田 博志
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依托单位:
国内基金
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miR-30c-5p通过MTDH/HIF-1α/PKM2环形反馈抑制乳腺癌进展的作用及机制研究
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批准号:JCZRLH202600025
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
精草铵膦生物合成中C-P键的酶促构建
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批准号:JCZRLH202601890
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
m5C甲基化修饰调控骨肉瘤发生发展的机制研究
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批准号:JCZRLH202602003
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
STAT3/C/EBPD-SLC5A12生物轴调控内质网应激相关蛋白乳酸化修饰在脓毒症急性肺损伤中的作用及机制研究
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批准号:JCZRLH202602096
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
ALDH2通过调控脂质代谢重编程介导的GDI2 C317位点棕榈酰化修饰促进肝脏再生的机制研究
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批准号:JCZRQNB202600372
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
m5C甲基化介导的circ01022表观遗传学修饰通过调控miRNAs参与宫颈癌顺铂耐药机制的研究
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批准号:JCZRQNB202600421
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
基于氧化应激介导的SCF/c-kit系统探讨靶向菌群调控ASD情绪及社交行为障碍的机制研究
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批准号:JCZRLH202600725
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:
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依托单位:
hiPSC-Exos转移miR-29c-3p对AMD中RPE细胞溶酶体自噬的作用及机制研究
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批准号:2026JJ60601
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:陈晓宇
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依托单位:
核孔蛋白Nup50/Nup153作为C9orf72-ALS/FTD毒性DPR新靶点的功能验证与机制研究
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批准号:2026JJ70116
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:彭广南
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依托单位:
B4C/Ag协同改性CoCrFeNiMo涂层的宽温域摩擦学行为及减摩耐磨机理
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批准号:2026JJ50035
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项目类别:省市级项目
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批准年份:2026
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负责人:颜建辉
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依托单位: