课题基金 / 基金详情

CMOS三値論理回路による公開鍵暗号ハードウェアの研究

CMOS三値論理回路による公開鍵暗号ハードウェアの研究
采用CMOS三值逻辑电路的公钥密码硬件研究
批准号:
17650013
负责人:
日比野 靖
金额:
$1.98万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2005
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2005 至 2007

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
(1)ハードウェア化に適した新しい公開鍵暗号方式 EIGamalタイプの公開鍵暗号の解読の難性は離散対数問題の困難性を利用したものであり,安全性の確保のためには,元の数が大きな体Fpが用いられる。Lenstraは,整数qの体Fqの6次の拡大体Fq^6の元が,そのトレースをとることにより,2次の拡大体Fq^2の元で表現できることを利用した,新しい公開鍵暗号方式XTR(Efficient and Compact Subgroup of Trace Representation)を提案している。XTRでは,鍵の長さ,暗号文の長さを,安全性を同一に保ちながら,従来の公開鍵暗号の1/3に短縮できる。本研究では,整数qとして,3の奇数巾(q=3^<2k+1>)1を持いること,すなわち標数3の体を用いることにより,体Fqの6次の拡大体Fq^6の元が,そのトレースをとることにより,もとの体Fqの元で表現できることを見いだした。この標数3の体を用いるXTRでは,LenstraのXTRより,鍵の長さ,暗号文の長さをさらに1/2に短縮できる。さらに,標数3の体の実装に,三値論理を用いることにより,効率のよいハードウェア実装が可能なことを示し,ソフトウェア実装に比べ約100倍の高性能化が図れることを示した。(2)完全CMOS動作する三値メモリ素子の考案と評価 上記ハードウェアを実現するために,CMOS動作する論理回路については,H18年度実績で示したように,Olson法を発展させたTG法を考案することにより解決できた。しかし,メモリについては完全CMOS動作をする三値メモリ素子が存在していなかった。「先に考案したCMOS動作をする三値インバータを基本要素として,マスター・スレーブ型の三値ラッチ,および三値スタティックメモリ素子を構成し,完全CMOS動作をすることを確認した。ハードウェア量を比較するため,9digit×9wordの三値メモリと,16bit×9wordの二値メモリを比較したところ,トランジスタ数で16パーセント程度の増加で収まり,配線量は1/2となることが判った
英文摘要
(1)ハードウェア化に適した新しい公開鍵暗号方式 EIGamalタイプの公開鍵暗号の解読の難性は離散対数問題の困難性を利用したものであり,安全性の確保のためには,元の数が大きな体Fpが用いられる。Lenstraは,整数qの体Fqの6次の拡大体Fq^6の元が,そのトレースをとることにより,2次の拡大体Fq^2の元で表現できることを利用した,新しい公開鍵暗号方式XTR(Efficient and Compact Subgroup of Trace Representation)を提案している。XTRでは,鍵の長さ,暗号文の長さを,安全性を同一に保ちながら,従来の公開鍵暗号の1/3に短縮できる。本研究では,整数qとして,3の奇数巾(q=3^<2k+1>)1を持いること,すなわち標数3の体を用いることにより,体Fqの6次の拡大体Fq^6の元が,そのトレースをとることにより,もとの体Fqの元で表現できることを見いだした。この標数3の体を用いるXTRでは,LenstraのXTRより,鍵の長さ,暗号文の長さをさらに1/2に短縮できる。さらに,標数3の体の実装に,三値論理を用いることにより,効率のよいハードウェア実装が可能なことを示し,ソフトウェア実装に比べ約100倍の高性能化が図れることを示した。(2)完全CMOS動作する三値メモリ素子の考案と評価 上記ハードウェアを実現するために,CMOS動作する論理回路については,H18年度実績で示したように,Olson法を発展させたTG法を考案することにより解決できた。しかし,メモリについては完全CMOS動作をする三値メモリ素子が存在していなかった。「先に考案したCMOS動作をする三値インバータを基本要素として,マスター・スレーブ型の三値ラッチ,および三値スタティックメモリ素子を構成し,完全CMOS動作をすることを確認した。ハードウェア量を比較するため,9digit×9wordの三値メモリと,16bit×9wordの二値メモリを比較したところ,トランジスタ数で16パーセント程度の増加で収まり,配線量は1/2となることが判った
期刊论文(9)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
完全CMOS動作をする三値メモリシステムの一実現法
一种完全CMOS操作的三态存储系统的实现方法
DOI: --
发表时间: 2008
期刊: 電子情報通信学会多値論理とそめ応用研究会技術研究報告 Vol.MVL-08No.1
影响因子: --
作者: [塩田 達彦, 日比野 靖]
通讯作者: 日比野 靖
三値論理関数回路及び多値論理関数回路
三值逻辑功能电路和多值逻辑功能电路
DOI: --
发表时间: 2005
期刊:
影响因子: --
作者: []
通讯作者:
標数3の体でのXTR
XTR在特性3领域
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: 信学技法(ISEC2005-3) Vol.105,No.51
影响因子: --
作者: [白勢 政明, 日比野 靖]
通讯作者: 日比野 靖
DOI: --
发表时间: 2005
期刊: Architecture News, ACM SIGARCH Computer Vol.33,Issue 1
影响因子: --
作者: [Masaaki Shirase, Yasushi Hibino]
通讯作者: Yasushi Hibino
9
    フッ化物含有リン酸4カルシウム-カルボン酸系硬化体の歯科用セメントへの応用
    • 批准号:
      08771818
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $0.7万
    • 财政年份:
      1996
    • 负责人:
      日比野 靖
    • 依托单位:
    キトサン配合リン酸4カルシウムセメントの改良に関する研究
    • 批准号:
      07771880
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $0.64万
    • 财政年份:
      1995
    • 负责人:
      日比野 靖
    • 依托单位:
    リン酸4カルシウム-キトサン-カルボン酸硬化体の歯科用セメントへの応用
    • 批准号:
      06771855
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $0.64万
    • 财政年份:
      1994
    • 负责人:
      日比野 靖
    • 依托单位:
    リン酸4カルシウム(4CP)を主成分とした合着用セメントの試作
    • 批准号:
      04771630
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
    • 资助金额:
      $0.45万
    • 财政年份:
      1992
    • 负责人:
      日比野 靖
    • 依托单位: