多層カーボンナノチューブの層間熱・電気伝導
多層カーボンナノチューブの層間熱・電気伝導
批准号:
18651060
负责人:
秋田 成司
金额:
$2.3万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份:
2006
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2006 至 --
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多層ナノチューブの電気伝導および熱伝導は非常に特異であることが理論的に予測されているが実験的に明らかにされていない点が多い.本研究では多層ナノチューブの層間電気・熱伝導についての理解を深めるため,実験的にナノチューブの層間のこれらの伝導特性について明らかにする事を目的とした.アーク放電法で成長させた結晶性の高いカーボンナノチューブおよび気相化学成長法により成長させた欠陥の比較的多いナノチューブを試料とした.ここで,各種直径をもつナノチューブに対して通電電流密度を変化して電流電圧特性および最大許容電流密度を求めた.さらに同一のナノチューブに対して機械的強度(ヤング率)および振動のエネルギー損失を測定した.また,ラマン分光法から得られた結果と比較し,格子振動についての欠陥の働きについて検討を加えた.CVDナノチューブに関してヤング率は0.2〜0.8TPa,最大許容電流密度は0.02〜2μΑ/nmとナノチューブにより異なるが直径との相関は特に無かった.最大許容電流密度はヤング率が大きくなると増加する傾向を示した.ヤング率の小さい欠陥の多いナノチューブでは機械的挙動を支配する欠陥と電気的特性を支配する欠陥が同一の種類であることを示している.一方,欠陥の極めて少ないアーク放電ナノチューブでは最大許容電流密度は同程度のヤング率を示すCVDナノチューブの2倍程度有り,CNT中の機械的な特性に影響する欠陥と電気的な特性に影響を及ぼす欠陥の種類が異なることを示唆している.また,ナノチューブの振動損失が直径に依存して大きくなることを見いだした.これは,多層案チューブの層間相互作用および熱伝達の違いに依存することが分かった.実験結果を解析するために分子動力学計算を行い,各温度における層間相互作用や,振動の損失について解析した.
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DOI:
10.1143/jjap.46.6295
发表时间:
2007-09
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[S. Akita;S. Sawaya;Y. Nakayama]
通讯作者:
S. Akita;S. Sawaya;Y. Nakayama
In-situ mass-measurement of electron-beam-induced nanometer-sized W-related deposits using a carbon nanotube cantilever
使用碳纳米管悬臂梁对电子束诱导的纳米级钨相关沉积物进行原位质量测量
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Applied Physics Letters Vol. 89,No. 19
影响因子:
--
作者:
[S.Sawaya, S.Akita, Y.Nakayama]
通讯作者:
Y.Nakayama
Correlation between mechanical and electrical properties of carbon nanotubes
碳纳米管机械性能和电性能之间的相关性
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Nanotechnology 18巻
影响因子:
--
作者:
[S. S away a, S. Akita, Y. Nakayama]
通讯作者:
Y. Nakayama
Barrier modification at contacts between carbon nanotube and Ptelectrode using well-controlled Joule heating
使用良好控制的焦耳加热对碳纳米管和 Pt 电极之间的接触面进行势垒改性
DOI:
--
发表时间:
2007
期刊:
Jpn. J. Appl. Phys. 46・15
影响因子:
--
作者:
[Kang Chen, Hiroyuki Umemuro, 渡慶次学, Y. Yoshikawa]
通讯作者:
Y. Yoshikawa
DOI:
10.1103/physrevb.74.165418
发表时间:
2006-10
期刊:
Physical Review B
影响因子:
3.7
作者:
[H. Mori;S. Ogata;Ju Li;S. Akita;Y. Nakayama]
通讯作者:
H. Mori;S. Ogata;Ju Li;S. Akita;Y. Nakayama
機械的揺らぎを抑圧した2次元材料による高純度量子エミッタ
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批准号:21K18193
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项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Research (Pioneering)
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资助金额:$16.56万
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财政年份:2021
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
カーボンナノチューブナノヒーターを用いた局所ホットフィラメントCVD
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批准号:15651057
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.5万
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财政年份:2003
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
走査型電子顕微鏡内マニピュレーションによるカーボンナノチューブの電子物性測定
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批准号:14655125
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$1.86万
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财政年份:2002
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
表面修飾した炭素ナノチューブの走査型プローブ顕微鏡への応用
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批准号:11750029
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1999
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
炭素ナノチューブのプラズマによる表面修飾とその電子物性
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批准号:09750023
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1997
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
炭素ナノチューブの生成機構と電子物性の解明
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批准号:07750020
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.7万
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财政年份:1995
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
非晶質シリコン半導体の光電流増倍現象に関する研究
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批准号:05750018
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1993
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
非晶質シリコン系半導体のキャリア輸送と界面に関する研究
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批准号:03855059
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1991
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
暗減衰過渡分光法による高抵抗非晶質シリコン系半導体の局在準位分布の決定
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批准号:01750271
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1989
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负责人:秋田 成司
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依托单位:
海外基金