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暗減衰過渡分光法による高抵抗非晶質シリコン系半導体の局在準位分布の決定

暗減衰過渡分光法による高抵抗非晶質シリコン系半導体の局在準位分布の決定
通过暗衰变瞬态光谱法测定高电阻率非晶硅基半导体中的局域能级分布
批准号：
01750271
负责人：
秋田 成司
金额：
$0.51万
依托单位：
Osaka Prefecture University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-01750271/
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機械的揺らぎを抑圧した2次元材料による高純度量子エミッタ
多層カーボンナノチューブの層間熱・電気伝導
  • 批准号：
    18651060
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.3万
  • 财政年份：
    2006
  • 负责人：
    秋田 成司
  • 依托单位：
    Osaka Prefecture University
カーボンナノチューブナノヒーターを用いた局所ホットフィラメントCVD
  • 批准号：
    15651057
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $2.5万
  • 财政年份：
    2003
  • 负责人：
    秋田 成司
  • 依托单位：
    Osaka Prefecture University
走査型電子顕微鏡内マニピュレーションによるカーボンナノチューブの電子物性測定
  • 批准号：
    14655125
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 资助金额：
    $1.86万
  • 财政年份：
    2002
  • 负责人：
    秋田 成司
  • 依托单位：
    Osaka Prefecture University